时间：2025/7/10 13:07:57
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3EZ180D5 是一款高性能的场效应晶体管（FET），主要用于功率放大和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，确保了高可靠性和稳定性。
其设计适用于需要高效功率转换和低导通电阻的应用场景。3EZ180D5 通常用于工业、通信以及消费电子领域，能够承受较高的电压和电流。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：800 V
最大栅源电压：±20 V
连续漏极电流：18 A
导通电阻（典型值）：0.18 Ω
总功耗：360 W
结温范围：-55°C 至 +175°C
3EZ180D5 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持高达 800V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在大电流条件下表现出较低的导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：具备快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用场景。
4. 高可靠性：经过严格的质量测试，能够在极端温度范围内稳定工作。
5. 紧凑封装：优化的封装设计有助于节省电路板空间，同时改善散热性能。
3EZ180D5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 逆变器
4. 不间断电源（UPS）
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 大功率 LED 驱动电路
IRFP250N, STP18NB60E, FQA18N80C
