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19C015PV1K 发布时间 时间:2025/12/25 6:00:23 查看 阅读:15

19C015PV1K 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)芯片。这款芯片结合了SRAM 的高速性能与非易失性存储能力,能够在断电情况下通过内置的超级电容或电池供电,保持数据不丢失。19C015PV1K 具有高可靠性、低功耗和长数据保存时间的特点,适用于需要数据持久性和快速访问的工业控制、医疗设备、通信系统和航空航天等关键领域。

参数

容量:1兆位(128K x 8)
  工作电压:3.3V
  访问时间:10ns、12ns、15ns(根据速度等级)
  封装类型:TSOP、SOJ、Ceramic 28-pin 或 32-pin
  数据保持方式:通过 VCAP 引脚连接超级电容或电池
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)
  读写耐久性:无限次读/写周期
  数据保留时间:典型值为20年(依赖外部电源保持机制)

特性

19C015PV1K 提供了 nvSRAM 独有的优势,即在系统正常运行时像普通 SRAM 一样快速读写,而在发生断电或系统关闭时自动将数据保存到非易失性存储单元中。这种存储器使用 Quantum Tunneling 技术实现数据的非易失性存储,无需外部写入操作即可实现数据保存,避免了传统 EEPROM 或 Flash 存储器的写入延迟和擦写次数限制。
  此外,该器件支持高速访问时间(最快为10ns),可满足高性能系统对实时数据存储的需求。其低功耗特性使其适用于便携式设备或需要节能设计的系统。19C015PV1K 还具备自动电源切换功能,在 VDD 下降至阈值以下时,自动将数据保存到非易失性存储区,并在电源恢复后恢复数据。
  该芯片具备多种封装选项,便于根据具体应用需求选择合适的封装形式。其工业级温度版本可在严苛环境下稳定工作,适用于工业自动化、通信基础设施、医疗设备等应用场景。

应用

19C015PV1K 主要应用于对数据安全性和系统可靠性要求极高的嵌入式系统和工业设备中。例如,在工业自动化系统中,用于存储关键的运行数据和配置信息,以防止突发断电导致的数据丢失;在医疗设备中,用于保存患者数据和设备校准参数;在通信设备中,作为高速缓存或配置存储器使用;在航空航天和国防领域,用于记录飞行数据和关键系统状态。
  此外,该芯片也适用于 POS 终端、数据采集系统、智能电表、UPS(不间断电源)系统以及需要频繁写入和断电保护的数据存储应用。其高速访问能力和非易失性特性使其成为替代传统电池供电 SRAM 或使用 Flash 存储器的理想选择。

替代型号

19C015PV2K, 19C015PV3K, 19C015PVI, 19C015PVC, 19C015PVS

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19C015PV1K参数

  • 制造商Honeywell
  • 工作压力0 psi to 15 psi
  • 压力类型Vacuum, Gauge, Differential
  • 输出类型Basic
  • 安装风格Panel
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工作电源电压15 V
  • 高度65.4 mm
  • 长度18.9 mm
  • 压力端口N
  • 传感器类型Transducers
  • 宽度18.9 mm