时间：2025/5/23 0:32:17
阅读：26
T2N7002BK,LM(T) 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种电源管理应用。其主要特点包括较低的栅极电荷以及适合表面贴装工艺的设计，非常适合用于便携式设备、电信系统及工业控制等领域。
最大漏源电压：70V
最大连续漏极电流：2.8A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.8Ω
功耗：0.6W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252
T2N7002BK,LM(T) 属于小型高效能 MOSFET 器件。
它具备以下显著特性：
1. 低导通电阻：有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。
2. 高开关速度：得益于其优化的内部结构设计，使得开关过程更加迅速，适用于高频开关电路。
3. 小型化封装：采用 TO-252 表面贴装封装，便于自动化生产和节省空间。
4. 良好的热性能：即使在高温环境下也能保持稳定的工作状态。
5. 低栅极电荷：进一步提升开关效率，降低驱动功耗。
这些特性使 T2N7002BK,LM(T) 成为众多低压、高频应用场景的理想选择。
T2N7002BK,LM(T) 的典型应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：用作主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流转换器：在降压、升压或升降压拓扑中实现高效的功率转换。
3. 电机驱动：控制小功率直流电机或步进电机。
4. 电池管理：适用于锂离子电池保护电路中的充放电路径控制。
5. 工业控制：如继电器驱动、电磁阀控制等需要精确功率切换的场合。
6. 通信设备：为各种电信模块提供稳定的电源支持。
T2N7002BK,LM(T) 凭借其优异的性能，在以上应用中表现出色。
NTR2202K, LM, PBF
NTR2202L, LM, PBF
