时间：2025/9/12 11:03:58
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KMB030N30D-RTF/P 是一款由Kinetic Technologies（原KEMET）生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。这款MOSFET采用先进的封装技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
漏极电流(Id)：30A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：约6.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V~3.0V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerPAK SO-8双侧散热（TSSOP）
功率耗散(Pd)：5W（最大值）
KMB030N30D-RTF/P 采用先进的Trench沟槽技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗并提高整体效率。该器件支持高达30A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。其低栅极电荷（Qg）设计减少了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
这款MOSFET的封装形式为PowerPAK SO-8双侧散热结构，能够有效提升散热性能，适用于空间受限但需要高性能的电路设计。其栅极驱动电压范围宽广，支持1.5V至3.0V的栅极阈值电压，可与多种控制IC兼容。
此外，KMB030N30D-RTF/P具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行，适用于工业控制、汽车电子、服务器电源和便携式设备等高要求应用场景。
KMB030N30D-RTF/P 主要应用于以下领域：
? DC-DC降压/升压转换器
? 同步整流器
? 负载开关与热插拔电路
? 电机驱动与控制
? 锂电池保护电路
? 高效电源模块与适配器
? 工业自动化设备与服务器电源系统
SiSS030DN, NexFET CSD17551Q5A, IRF3703PBF, FDD3703
