时间：2025/7/9 17:05:10
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19-213/S2C-AP1Q2B/3T 是一款高性能的功率半导体器件，通常用于工业和汽车领域的开关应用。该型号属于MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）家族，采用先进的制造工艺以实现高效率和低损耗。
其封装形式为TO-263（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合于需要高电流承载能力的应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
总功耗(Ptot)：240W
工作温度范围(Ta)：-55°C to 175°C
19-213/S2C-AP1Q2B/3T 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg），可减少开关过程中的能量损失。
3. 优秀的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
4. 强大的电流处理能力，支持高达45A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
5. 紧凑的TO-263封装设计，便于PCB布局且提供高效的散热路径。
这些特性使其非常适合应用于电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及负载切换等场合。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子：如电动车窗、座椅调节、雨刷控制及发动机管理系统中的功率控制。
2. 工业自动化：用于伺服电机驱动、机器人控制及PLC（可编程逻辑控制器）中的功率开关。
3. 电源管理：在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中作为主功率开关或同步整流元件。
4. 家用电器：空调压缩机驱动、冰箱风扇控制及其他家用电器中的功率调节模块。
其强大的性能和可靠性使其成为众多高要求应用的理想选择。
S2C-AP1Q2B/3T, IRF540N, FDP55N60E
