类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在25°C）
　　功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值，根据Vgs不同而变化）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220
　　

B12N04 MOSFET具有多项关键特性，使其在功率应用中表现优异。
　　首先，它具备极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该特性在高电流应用中尤为重要，可以显著降低发热，提升系统稳定性。
　　其次，B12N04的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，进一步减少开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　此外，该器件具有高电流承载能力，在连续漏极电流方面可达120A，适合高功率密度设计。其热阻较低，能够有效散热，提升器件在高温环境下的可靠性。
　　B12N04还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，确保在极端工况下仍能维持稳定运行，提高系统安全性。
　　封装方面，B12N04通常采用TO-263或TO-220封装，便于安装和散热管理，适用于多种PCB布局和热设计需求。

B12N04广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器，提高电源转换效率，适用于AC-DC和DC-DC转换器。
　　2. 电机控制：用于H桥驱动电路，实现直流电机或无刷电机的高效控制，适用于工业自动化、电动车和机器人系统。
　　3. 电池管理系统：作为充放电控制开关，用于电动工具、储能系统和UPS不间断电源。
　　4. 负载开关：用于电源管理模块中，控制设备的供电通断，适用于服务器、通信设备和消费类电子产品。
　　5. DC-DC转换器：在升降压（Buck/Boost）电路中作为功率开关，广泛应用于车载电子、LED驱动和嵌入式系统中。
　　6. 逆变器和变频器：用于工业电机驱动和太阳能逆变系统，提高能量转换效率并减少热量产生。

SiR120DP, IRF120N, FDP120N04L, STP120N4F6