180N10是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率应用中,例如电源、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化系统。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻的特点,使其在高功率密度和高效率的电源系统中表现优异。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):180A
漏-源极电压(VDS):100V
栅-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值5.3mΩ
封装形式:TO-247、TO-263(D2Pak)或类似
工作温度范围:-55°C至175°C
180N10 MOSFET具备多个优异的电气和热性能特性,能够满足高功率和高可靠性应用的需求。其主要特性包括:
? 低导通电阻(RDS(on)):180N10的典型RDS(on)为5.3mΩ,能够显著降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流负载的应用。
? 高电流承载能力:该器件的最大漏极电流为180A,适用于高功率开关电路,如电机驱动和电源转换器。
? 高耐压能力:漏-源极电压(VDS)可达100V,适用于中高电压系统的功率控制。
? 热稳定性优异:180N10采用了先进的封装技术和散热设计,能够在高温环境下稳定工作,确保长时间运行的可靠性。
? 快速开关特性:具有较低的栅极电荷(Qg)和开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
? 静电放电(ESD)保护能力强,能够在制造、存储和使用过程中有效防止静电损伤。
? 采用环保材料封装,符合RoHS和REACH标准,适用于各种工业和汽车电子应用。
180N10 MOSFET由于其高电流和高耐压特性,被广泛应用于多个高功率电子系统,包括:
? 电源管理系统:用于高功率电源模块、服务器电源和工业电源。
? 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和步进电机控制器。
? DC-DC转换器:适用于高效率同步整流拓扑结构,如Buck和Boost转换器。
? 电池管理系统:用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池充放电控制。
? 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器中的高功率开关控制。
? 逆变器和UPS系统:作为功率开关元件,用于不间断电源和逆变器电路中。
IRF1405、SiHF180N10、FD180N10