型号：UPA1V102MHD1TO
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：26mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：31mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：典型值约 520pF
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini (DFN1010D-6)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道
　　极性：N-Channel
　　VGS 最大额定值：±8V

UPA1V102MHD1TO具备多项先进特性，使其在同类小型化MOSFET产品中表现出色。首先，该器件采用ROHM独有的沟槽结构与超结技术相结合的设计，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于电池供电系统，在长时间运行中有效延长续航时间。其次，其20V的漏源耐压足以应对大多数低压直流应用，包括3.7V锂电池供电系统及其倍压或稳压电路，确保在瞬态电压波动时仍能稳定工作。该MOSFET的栅极阈值电压较低，通常在0.6V至1.2V之间，这意味着它可以用低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V甚至更低的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。
　　另一个关键特性是其采用的S-Mini封装（DFN1010D-6），尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.5mm，属于超小型无引线封装，极大节省了PCB布局空间，非常适合高密度组装的移动设备。该封装还具有良好的热性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，增强散热能力，从而允许器件在较高负载下持续工作。此外，该封装结构减少了寄生电感和电阻，有助于提升开关速度，减少开关过程中的能量损耗。UPA1V102MHD1TO还具备出色的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现优异，适用于同步整流、开关电源（SMPS）和LED背光驱动等场景。
　　该器件在可靠性方面也进行了优化，经过严格的高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常温环境，也能在高温工业或汽车电子环境中可靠使用。此外，器件内部集成体二极管，具备一定的反向电流续流能力，可在感性负载关断时提供保护路径。总体而言，UPA1V102MHD1TO通过高性能参数、小型化封装与高可靠性设计的结合，成为现代低电压、高效率电源管理系统的理想选择。

UPA1V102MHD1TO广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机和平板电脑中的LCD/OLED显示屏电源控制、摄像头模块供电切换以及外设电源启停控制。在这些应用中，该MOSFET作为高端或低端开关使用，能够快速响应控制信号，精确地开启或切断电源路径，从而实现节能待机模式和动态电源管理。
　　此外，该器件常用于同步降压型DC-DC转换器中作为下管（low-side switch），因其低导通电阻和快速开关特性，可显著提高转换效率，减少发热。在电池充电管理电路中，UPA1V102MHD1TO可用于充电路径的通断控制或电池反接保护，防止电流倒灌损坏充电IC。在LED驱动电路中，它也可作为恒流调节开关元件，配合电感和反馈电路实现高效的白光LED或闪光灯驱动。
　　其他应用还包括电机驱动、USB端口电源控制、热插拔电路以及各类IoT设备中的电源管理单元（PMU）。由于其小型封装和低功耗特性，特别适合用于可穿戴设备、无线耳机、智能手表等对空间和功耗极为敏感的产品。在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器模块的电源门控，以降低待机功耗。总之，凡是需要高效、小型、低电压开关功能的场合，UPA1V102MHD1TO都能提供可靠的解决方案。

UPA1H102MHD1TO
　　DMG2305UX
　　FDC6322L
　　AOZ5230EQI-02