UPA1V102MHD1TO是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的N沟道功率MOSFET,采用紧凑型表面贴装封装(通常为S-Mini或类似的小型化封装),专为高效率、低功耗应用设计。该器件适用于需要小型化和高性能的便携式电子产品和电源管理系统。其主要特点是具有较低的导通电阻(RDS(on)),能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流处理能力,同时降低导通损耗,提高整体系统效率。UPA1V102MHD1TO的工作电压适中,适合用于电池供电设备中的开关控制、负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。该MOSFET采用了先进的沟槽栅极工艺技术,优化了载流子迁移率,从而在保证高可靠性的同时实现了优异的电气性能。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。由于其小型封装特性,UPA1V102MHD1TO特别适合空间受限的应用场合,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。
型号:UPA1V102MHD1TO
制造商:ROHM Semiconductor
器件类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):20V
最大连续漏极电流(ID):5.4A
导通电阻(RDS(on)):26mΩ @ VGS = 10V
导通电阻(RDS(on)):31mΩ @ VGS = 4.5V
栅极阈值电压(VGS(th)):0.6V ~ 1.2V
输入电容(Ciss):典型值约 520pF
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装类型:S-Mini (DFN1010D-6)
安装方式:表面贴装(SMD)
通道数:单通道
极性:N-Channel
VGS 最大额定值:±8V
UPA1V102MHD1TO具备多项先进特性,使其在同类小型化MOSFET产品中表现出色。首先,该器件采用ROHM独有的沟槽结构与超结技术相结合的设计,显著降低了单位面积下的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提升了能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于电池供电系统,在长时间运行中有效延长续航时间。其次,其20V的漏源耐压足以应对大多数低压直流应用,包括3.7V锂电池供电系统及其倍压或稳压电路,确保在瞬态电压波动时仍能稳定工作。该MOSFET的栅极阈值电压较低,通常在0.6V至1.2V之间,这意味着它可以用低电压逻辑信号直接驱动,兼容3.3V甚至更低的微控制器输出,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并降低成本。
另一个关键特性是其采用的S-Mini封装(DFN1010D-6),尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.5mm,属于超小型无引线封装,极大节省了PCB布局空间,非常适合高密度组装的移动设备。该封装还具有良好的热性能,底部带有散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层,增强散热能力,从而允许器件在较高负载下持续工作。此外,该封装结构减少了寄生电感和电阻,有助于提升开关速度,减少开关过程中的能量损耗。UPA1V102MHD1TO还具备出色的开关特性,包括较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),使其在高频开关应用中表现优异,适用于同步整流、开关电源(SMPS)和LED背光驱动等场景。
该器件在可靠性方面也进行了优化,经过严格的高温反向偏压测试(HTRB)、高温栅极偏压测试(HTGB)和温度循环测试,确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其不仅适用于常温环境,也能在高温工业或汽车电子环境中可靠使用。此外,器件内部集成体二极管,具备一定的反向电流续流能力,可在感性负载关断时提供保护路径。总体而言,UPA1V102MHD1TO通过高性能参数、小型化封装与高可靠性设计的结合,成为现代低电压、高效率电源管理系统的理想选择。
UPA1V102MHD1TO广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理,例如智能手机和平板电脑中的LCD/OLED显示屏电源控制、摄像头模块供电切换以及外设电源启停控制。在这些应用中,该MOSFET作为高端或低端开关使用,能够快速响应控制信号,精确地开启或切断电源路径,从而实现节能待机模式和动态电源管理。
此外,该器件常用于同步降压型DC-DC转换器中作为下管(low-side switch),因其低导通电阻和快速开关特性,可显著提高转换效率,减少发热。在电池充电管理电路中,UPA1V102MHD1TO可用于充电路径的通断控制或电池反接保护,防止电流倒灌损坏充电IC。在LED驱动电路中,它也可作为恒流调节开关元件,配合电感和反馈电路实现高效的白光LED或闪光灯驱动。
其他应用还包括电机驱动、USB端口电源控制、热插拔电路以及各类IoT设备中的电源管理单元(PMU)。由于其小型封装和低功耗特性,特别适合用于可穿戴设备、无线耳机、智能手表等对空间和功耗极为敏感的产品。在工业控制领域,该MOSFET可用于传感器模块的电源门控,以降低待机功耗。总之,凡是需要高效、小型、低电压开关功能的场合,UPA1V102MHD1TO都能提供可靠的解决方案。
UPA1H102MHD1TO
DMG2305UX
FDC6322L
AOZ5230EQI-02