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GA1210Y823JXBAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:19:36 查看 阅读:10

GA1210Y823JXBAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信系统中的信号放大。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于蜂窝基站、中继站以及点对点无线电等应用领域。
  该芯片设计紧凑,能够提供出色的射频性能,并且在较宽的工作频率范围内保持稳定的输出功率和效率。

参数

型号:GA1210Y823JXBAR31G
  工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  增益:18 dB 典型值
  输出1dB压缩点功率:35 dBm 典型值
  饱和输出功率:37 dBm 典型值
  电源电压:5 V
  静态电流:2.5 A 典型值
  封装形式:QFN-20
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y823JXBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高效率和高线性度,适合多载波和宽带应用。
  2. 内置匹配网络,简化外部电路设计。
  3. 集成偏置电路,减少外围元件数量。
  4. 宽带操作能力,覆盖多个通信频段。
  5. 稳定的温度特性,确保在不同环境下的可靠运行。
  6. 小型化的封装设计,便于PCB布局与安装。

应用

GA1210Y823JXBAR31G 广泛应用于以下场景:
  1. 蜂窝基站发射机模块。
  2. 微波中继站及回传设备。
  3. 点对点和点对多点无线电通信系统。
  4. 移动通信直放站和分布式天线系统 (DAS)。
  5. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段相关产品。
  6. 测试测量仪器中的射频功率放大组件。

替代型号

GA1210Y823JXBAR32G
  GA1210Y823JXBAR33G
  GA1210Y823JXBAR34G

GA1210Y823JXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-