GA1210Y823JXBAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信系统中的信号放大。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于蜂窝基站、中继站以及点对点无线电等应用领域。
该芯片设计紧凑,能够提供出色的射频性能,并且在较宽的工作频率范围内保持稳定的输出功率和效率。
型号:GA1210Y823JXBAR31G
工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
增益:18 dB 典型值
输出1dB压缩点功率:35 dBm 典型值
饱和输出功率:37 dBm 典型值
电源电压:5 V
静态电流:2.5 A 典型值
封装形式:QFN-20
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1210Y823JXBAR31G 的主要特性包括:
1. 高效率和高线性度,适合多载波和宽带应用。
2. 内置匹配网络,简化外部电路设计。
3. 集成偏置电路,减少外围元件数量。
4. 宽带操作能力,覆盖多个通信频段。
5. 稳定的温度特性,确保在不同环境下的可靠运行。
6. 小型化的封装设计,便于PCB布局与安装。
GA1210Y823JXBAR31G 广泛应用于以下场景:
1. 蜂窝基站发射机模块。
2. 微波中继站及回传设备。
3. 点对点和点对多点无线电通信系统。
4. 移动通信直放站和分布式天线系统 (DAS)。
5. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段相关产品。
6. 测试测量仪器中的射频功率放大组件。
GA1210Y823JXBAR32G
GA1210Y823JXBAR33G
GA1210Y823JXBAR34G