时间：2025/6/28 20:45:36
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500X07N220MV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够显著提升系统的整体性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其额定电压为 220V，适合高压应用场合。此外，它还具备快速开关特性，可有效降低开关损耗，从而提高系统的能效。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：80nC
开关时间：典型值 20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
500X07N220MV4T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，能够支持高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高度可靠的封装设计，提供良好的散热性能。
4. 出色的短路耐受能力，增强了器件在极端条件下的鲁棒性。
5. 宽广的工作温度范围，使其能够在各种严苛环境下稳定运行。
该芯片的应用领域非常广泛，主要包括以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 新能源汽车中的逆变器模块
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源系统（UPS）
6. 各类高效能 DC-DC 转换器
IRF220N, STP50NF22, FDP057N22S
