12ND12 时间：2025/9/22 8:57:48 阅读：11

12ND12是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机控制以及开关模式电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的TrenchSTOP?技术，具备低导通电阻和优化的开关特性，能够在高频率下实现较低的开关损耗，从而提升系统整体能效。12ND12的设计目标是满足工业、消费类电子及可再生能源系统中对高可靠性和高性能功率开关的需求。其封装形式通常为TO-247或类似的大功率封装，有助于有效散热，适合在较高电流和电压条件下运行。
　　该器件的命名规则中，“12”代表其漏源击穿电压为1200V，而“ND”表示其属于Infineon的超级结MOSFET产品系列，具有优异的性能平衡。12ND12特别适用于需要高耐压和高效率的应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备和电动车辆充电系统等。由于其具备较高的热稳定性和抗雪崩能力，12ND12在面对瞬态过压和过流情况时表现出良好的鲁棒性，减少了对外部保护电路的依赖，从而简化了系统设计并提高了可靠性。

参数

型号：12ND12
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　漏极电流(Id)：12A @ 25°C
　　漏极电流(Id)，连续：12A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds on)：720mΩ max @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs th)：5V typ
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：不适用（无体二极管或快速体二极管优化）
　　工作温度：-55°C ~ +150°C
　　功耗(Pd)：280W
　　封装类型：TO-247

特性

12ND12采用了Infineon成熟的TrenchSTOP? 5技术，这是一种基于超结（Superjunction）结构的高压MOSFET设计，通过交替排列P型和N型掺杂区域，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的折衷关系。这种结构使得12ND12在保持1200V高耐压的同时，仍具备相对较低的Rds(on)，从而减少导通损耗，提高能效。此外，该技术还优化了电场分布，增强了器件在高温和高电压应力下的长期可靠性。
　　该器件具有出色的开关性能，其输入和输出电容较小，有助于降低驱动损耗，并支持更高频率的开关操作，适用于高频SMPS拓扑如LLC谐振变换器和有源钳位反激式转换器。同时，12ND12具备良好的热稳定性，其正温度系数的阈值电压特性有利于多个器件并联使用时的均流控制，避免因局部过热导致的热失控问题。
　　另一个重要特性是其坚固的栅氧化层设计，能够承受±20V的栅源电压，提升了对误触发和噪声干扰的抵抗能力。此外，器件经过严格测试，具备一定的抗雪崩能量能力，可在非重复脉冲条件下承受一定的过压冲击，进一步增强了系统的鲁棒性。TO-247封装提供了优良的热传导路径，配合散热器可有效将结温控制在安全范围内，确保长时间稳定运行。这些综合特性使12ND12成为高压功率应用中的理想选择。

应用

12ND12主要应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它常用于DC-AC转换级，尤其是在单相或三相组串式逆变器的主开关位置，利用其高耐压和低损耗特性实现高效能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，12ND12可用于DC-DC升压级或全桥逆变级，提供稳定的输出电压，同时降低系统发热。
　　该器件也广泛应用于工业电机驱动系统，特别是中等功率的变频器中，作为功率开关元件参与PWM调制过程，实现精确的速度和转矩控制。此外，在感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置中，12ND12因其优异的高频开关能力和耐高温特性，被用于构建串联或并联谐振逆变电路，以产生高频交变磁场。
　　在电动汽车充电基础设施中，12ND12可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的PFC（功率因数校正）阶段，帮助提升电网侧的电能质量。此外，它还可用于高电压DC-DC转换器、激光电源、X射线发生器等特种电源设备中，满足对紧凑设计和高功率密度的需求。由于其良好的热管理和电气性能，12ND12在各种恶劣工作环境下仍能保持稳定运行，因此在工业自动化、新能源和高端消费电子领域均有广泛应用。