最大重复反向电压 VRRM：50V
　　最大均方根电压 VRMS：35V
　　最大直流阻断电压 VDC：50V
　　最大正向整流电流 IO：1.0A
　　峰值浪涌电流 IFSM：30A
　　正向压降 VF：0.52V（典型值，@ IF = 1A）
　　最大反向漏电流 IR：500μA（@ VR = 50V, TJ = 25°C）
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　热阻 Junction-to-Ambient RθJA：150°C/W
　　封装类型：SMA（DO-214AC）

17S05VI所采用的肖特基势垒结构赋予了它一系列优异的电气特性，使其在众多整流二极管中脱颖而出。最显著的特点之一是其低正向压降（VF）。由于肖特基二极管的工作原理基于金属-半导体接触而非P-N结，因此其内建电势较低，导致在导通状态下电压降明显小于传统的硅P-N结二极管。对于17S05VI而言，在1安培的正向电流下，典型的正向压降仅为0.52伏特。这一特性极大地减少了导通期间的能量损耗（Ploss = VF × IF），有助于提高电源转换效率，并减少对散热系统的要求，特别适用于便携式设备或高密度组装的电子产品中。
　　另一个关键优势是其快速开关能力。肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不涉及少数载流子的存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复时间（trr）。这意味着在高频开关应用如开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器中，17S05VI可以迅速响应电压极性的变化，避免因反向恢复过程引起的额外功耗和电磁干扰（EMI）。这对于提升系统效率和稳定性至关重要。此外，较短的反向恢复时间也使得该器件能够在高频环境下保持良好的性能表现，支持更高的开关频率设计。
　　17S05VI还具备良好的热稳定性和可靠性。其工作结温范围宽达-65°C至+125°C，可在恶劣环境条件下正常运行。结合SMA表面贴装封装，该器件不仅体积小巧，便于PCB布局优化，而且具有较好的热传导性能。虽然其热阻RθJA约为150°C/W，但在合理布板（例如增加铜箔面积以增强散热）的情况下，仍可确保长期可靠运行。此外，器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于绿色电子产品制造。

17S05VI因其出色的电气性能和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于各类消费类电子、工业控制及通信设备中。一个典型的应用场景是作为开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流元件。在反激式或正激式拓扑结构中，输出端常使用肖特基二极管进行整流，17S05VI凭借其低VF和快速响应特性，能够显著降低输出整流损耗，提高整体转换效率，尤其适用于5V或12V低压输出系统。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，作为续流二极管（freewheeling diode）或防止反向电流的阻断元件。在这些电路中，当开关管关断时，电感会产生反向电动势，此时17S05VI提供一条低阻抗路径以释放储能，防止电压尖峰损坏其他组件。由于其快速的开关速度和低反向恢复电荷，能有效抑制振铃现象和电磁噪声，提升系统的EMI性能。
　　在电池供电设备中，17S05VI可用于实现电源极性反接保护功能。将其串联在主供电路径上，仅允许电流单向流动，从而防止用户错误连接电池造成的设备损坏。尽管存在一定的导通压降，但相比其他保护方案（如使用MOSFET加控制器），其成本更低且实现简单。
　　其他应用场景还包括逆变器电路中的箝位保护、太阳能充电控制器中的防倒灌二极管、适配器和充电器模块中的整流单元，以及各类需要高效、小体积整流解决方案的嵌入式系统。得益于其SMA封装的标准化设计，17S05VI易于替换和批量生产，适合自动化贴片工艺，进一步增强了其在现代电子产品中的适用性。

1N5819W-T, SB150, MBR150, SS15-TP, B150, DSK15-0050A