时间：2025/5/19 18:34:25
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HGTG27N120BN 是一款高压功率 N 沟道 MOSFET，适用于高电压和大电流的应用场景。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其封装形式通常为 TO-247 或 D2PAK，适合工业级和汽车级应用环境。
这款芯片的主要用途是在电力电子设备中实现高效的功率转换和控制。例如，它可以用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动等场合。通过优化的热性能设计，HGTG27N120BN 能够在高温环境下稳定工作，满足严苛的工作条件。
额定电压：1200V
额定电流：27A
导通电阻：95mΩ（典型值）
栅极电荷：68nC（典型值）
输入电容：1320pF（典型值）
最大功耗：270W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 高额定电压（1200V），能够承受较高的反向电压，适用于高压系统。
2. 低导通电阻（典型值为 95mΩ），有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性，能够在过载或异常条件下保护电路。
5. 采用沟槽式 MOSFET 技术，提升了单位面积内的电流承载能力。
6. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境下的使用需求。
7. 封装形式坚固耐用，便于散热设计。
HGTG27N120BN 广泛应用于需要高效功率管理的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）：作为主功率开关管，用于实现 AC-DC 或 DC-DC 转换。
2. 逆变器：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，用作功率开关。
3. 电机驱动：用于驱动各种类型的电机，例如直流无刷电机（BLDC）。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：应用于车载充电器、DC-DC 转换器以及牵引逆变器。
5. 工业设备：如焊接机、工业自动化控制器中的功率模块。
6. 高压大电流电路：用于需要高电压和大电流处理能力的特殊应用环境。
HGTG27N120BD, IRGB27N120DPBF, C2M0075120D
