类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

5N5001的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其RDS(on)典型值为1.2Ω，最大值不超过1.5Ω，能够在较高电流下保持较低的压降。
　　其次，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压（VDS）可达500V，使其适用于高压环境下的开关操作。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温条件下稳定运行，适用于对散热要求较高的应用。
　　此外，5N5001的栅极电荷（Qg）为17nC，这一参数决定了其开关速度和驱动能力。较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提高系统的开关频率和效率。
　　该MOSFET采用TO-220和DPAK等标准封装形式，便于在PCB设计中进行安装和散热管理。其工业级的工作温度范围（-55°C至+150°C）也确保了其在各种环境下的可靠运行。

5N5001适用于多种电源管理和功率控制应用。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机驱动器、负载开关以及各种工业自动化控制设备。
　　在开关电源中，5N5001可以作为主开关元件，用于高效地切换高电压和电流，从而实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使得它在高频开关电路中表现良好。
　　在电机控制方面，5N5001可用于H桥电路中作为驱动功率晶体管，实现对直流电机或步进电机的正反转控制及调速功能。
　　此外，它也常用于电池供电设备中的负载开关，用于控制电池与负载之间的连接，实现节能和过载保护等功能。

IRF540、FDP5N50、STP5NK50Z、2SK2545