时间：2025/4/28 12:04:02
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17-21/BLC-BL2N1TY/3T 是一种专为高效能电源管理设计的功率MOSFET芯片，广泛应用于各类开关电源、电机驱动和电池管理系统中。该器件采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特性。其封装形式通常为TO-220或DPAK，具体取决于实际应用场景的需求。此外，该芯片支持大电流输出，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。
型号：17-21/BLC-BL2N1TY/3T
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻：2.5mΩ（典型值）
最大漏极电流：110A
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
17-21/BLC-BL2N1TY/3T具有出色的电气性能，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合，可以降低开关损耗。
3. 内置静电保护功能，增强抗干扰能力，提高产品可靠性。
4. 优秀的热稳定性，确保在高温环境下依然保持稳定的性能表现。
5. 支持大电流连续输出，适用于各种高功率场景。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的电源管理和控制模块。
4. 新能源汽车及电动车中的电池管理系统（BMS）。
5. 其他需要高效功率转换和控制的场合。
BLC-BL2N1TY-A3T, IRFZ44N, FDP5580
