时间：2025/6/18 20:21:07
阅读：3
GA1812A681KBAAR31G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用场景设计。该器件采用了先进的GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电模块以及各类高频开关电路。
与传统硅基MOSFET相比，该型号能够提供更高的效率和更低的热损耗，同时支持更小的PCB尺寸和更高频率的工作环境。
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压Vds：650V
导通电阻Rds(on)：40mΩ
栅极驱动电压Vgs：-1.5V至6V
连续漏极电流Id：15A
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃至+150℃
GA1812A681KBAAR31G具有卓越的性能特点：
1. 采用氮化镓技术，大幅降低导通和开关损耗。
2. 高击穿电压确保在高压应用中的可靠性。
3. 快速开关速度使它非常适合高频应用，如LLC谐振变换器或图腾柱PFC拓扑。
4. 超低导通电阻有助于减少发热并提高系统效率。
5. 符合RoHS标准，适合环保设计需求。
6. 封装坚固耐用，具备良好的散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 数据中心电源供应单元（PSU）。
2. 消费类快充适配器，包括USB-PD协议。
3. 电动汽车（EV）车载充电器（OBC）及DC-DC转换器。
4. 工业级高频AC-DC和DC-DC转换。
5. 无线充电发射端和接收端设备。
6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的电力转换设备。
GAN064-650WSA, GS66508T
