类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：250V
　　连续漏极电流(ID)：16A（Tc=25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值约为0.15Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　封装形式：TO-220AB或TO-262
　　最大工作温度：150℃
　　功耗(PD)：160W
　　漏极-源极击穿电压(BVDS)：250V

16N25C的主要特性之一是其出色的导通电阻与电流承载能力的平衡，使其在高功率应用中效率较高。该器件具有较低的栅极电荷，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。此外，16N25C具备较高的热稳定性，能够在较高温度下可靠工作。其耐用的封装设计（如TO-220AB）提供了良好的散热性能，适用于需要长时间运行的工业设备。该MOSFET还具备抗雪崩击穿的能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。
　　另一个关键特性是其在高电压应用中的稳定性。16N25C的漏源耐压为250V，适用于中高功率的开关电源、逆变器和电机控制电路。该器件的低导通电阻确保在导通状态下压降较小，减少功率损耗和发热。此外，16N25C的封装设计便于安装散热片，以进一步提高其热管理能力，延长使用寿命。

16N25C广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高电压和中等电流控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、电池充电器、逆变器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其良好的导电性能和高耐压能力，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电源管理模块。此外，16N25C还可用于消费类电子产品中的电源调节电路，例如UPS（不间断电源）和节能照明系统。

IRF640N, STP16NF25, FDP16N25C, SiHP16N25C