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16CTQ100GS 发布时间 时间:2025/12/26 18:55:55 查看 阅读:16

16CTQ100GS是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的超快软恢复二极管,专为高效率和高性能电源应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和极短的反向恢复时间,能够显著降低开关损耗并提升系统整体效率。16CTQ100GS属于肖特基势垒二极管类别,但其结构经过优化以实现软恢复特性,从而减少电磁干扰(EMI),适用于高频开关电源环境。该器件封装在紧凑的TO-220全隔离封装中,具备良好的热性能和电气绝缘能力,适合在高电压、大电流条件下稳定运行。
  这款二极管的额定平均整流电流为16A,最大重复峰值反向电压达到100V,使其非常适合用于同步整流、DC-DC转换器、有源钳位电路以及功率因数校正(PFC)等应用场景。由于其出色的动态性能和可靠性,16CTQ100GS广泛应用于工业电源、电信设备、服务器电源和新能源系统中。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备优异的浪涌电流承受能力,能够在瞬态负载条件下保持稳定工作。

参数

类型:超快软恢复二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  平均整流电流(IF(AV)):16A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):200A(单个半正弦波,60Hz)
  正向电压降(VF):典型值0.52V(在16A, 25°C下)
  最大反向恢复时间(trr):35ns(典型值)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220AC(全隔离)
  热阻(RθJC):1.2°C/W(典型值)
  漏电流(IR):≤ 1.0mA(在100V, 125°C下)

特性

16CTQ100GS具备卓越的电学特性,尤其是在高频开关环境下表现出色。其核心优势之一是超快的反向恢复时间,典型值仅为35ns,这使得它在高频DC-DC转换器和同步整流拓扑中能够大幅降低开关损耗,提高能效。与传统快恢复二极管相比,该器件的恢复过程更加“软”,即反向恢复电流的下降速率较缓,有效抑制了由于快速电流变化引起的电压振铃和电磁干扰(EMI),从而提升了系统的电磁兼容性(EMC)表现,减少了对外部滤波元件的需求。
  该器件采用先进的平面工艺和金属-半导体结结构,在保证高电流承载能力的同时实现了较低的正向导通压降。在16A的工作电流下,典型正向压降仅为0.52V,这意味着导通损耗极低,有助于提升电源的整体效率并减少散热需求。此外,低VF特性也降低了温升,延长了器件和整个系统的使用寿命。
  16CTQ100GS的TO-220AC封装不仅提供了良好的机械强度,还具备电气隔离功能,允许安装在非接地散热器上而无需额外的绝缘垫片,简化了热管理系统的设计。其热阻RθJC仅为1.2°C/W,表明热量可以从PN结高效传导至外壳,适合高功率密度应用。
  该器件具有宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +175°C),可在极端环境温度下稳定运行,适用于工业级和严苛工作条件下的电源系统。同时,高达200A的峰值浪涌电流能力使其能够承受启动或瞬态过载情况下的电流冲击,增强了系统的鲁棒性和可靠性。

应用

16CTQ100GS主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电源系统中。其典型应用场景包括通信电源、服务器电源、工业自动化设备中的DC-DC转换器以及光伏逆变器等新能源系统。由于其低正向压降和软恢复特性,特别适合用于同步整流电路中作为副边整流元件,替代传统的MOSFET驱动复杂控制方案,在简化设计的同时仍保持较高的转换效率。
  在功率因数校正(PFC)电路中,16CTQ100GS可用于升压二极管,其快速恢复能力和低反向恢复电荷(Qrr)可减少开关管关断时的尖峰电压,保护主开关器件(如IGBT或MOSFET),并降低EMI滤波成本。此外,该器件也常用于有源钳位正激变换器、LLC谐振转换器和其他先进拓扑结构中,发挥其在高频下低损耗的优势。
  在电信整流模块中,16CTQ100GS因其高电流处理能力和长期稳定性而被广泛采用。其TO-220AC封装便于安装在大型散热器上,确保长时间满负荷运行下的热稳定性。对于追求小型化、高功率密度设计的现代电源产品而言,该器件提供了一个理想的高性能解决方案。

替代型号

STPS16100CT, MBRS1645, VS-16CTQ100FN

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16CTQ100GS参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Rectifiers
  • 峰值反向电压100 V
  • 正向连续电流16 A
  • 最大浪涌电流650 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降0.88 V
  • 最大反向漏泄电流280 uA
  • 工作温度范围- 55 C to + 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK (TO-263AB)
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量1000