时间：2025/11/3 17:05:44
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CY7C2270KV18-550BZXI 是一款由 Infineon Technologies（原 Cypress Semiconductor）推出的高速、低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于其 QDR? II+ SRAM 系列产品。该器件专为高性能网络和通信系统中的数据缓冲和缓存应用而设计，支持双倍数据速率（DDR）架构，能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现极高的吞吐量。该芯片采用 1.8V 核心电压供电，符合现代低功耗系统的设计需求，适用于对功耗和性能均有严格要求的应用场景。CY7C2270KV18-550BZXI 提供了高达 550 MHz 的工作频率，对应的数据速率为 1100 Mbps（每引脚 1.1 Gbps），具备卓越的带宽能力。其内部结构为 36Mb（2M × 18 位）组织形式，即拥有 2 百万深度、18 位宽度的数据接口，适合处理成块数据流，如在交换机、路由器、基站和测试设备中进行包缓冲、队列管理和实时数据转发等任务。该器件封装采用小型化的 165 球 BGA（Ball Grid Array），具有良好的电气性能和散热特性，便于高密度 PCB 布局。此外，该 SRAM 支持突发模式操作，无需地址递增控制即可自动完成连续地址访问，提升了总线利用率与系统效率。器件还集成了可编程驱动强度、片内终端匹配（ODT）以及差分时钟输入等功能，增强了信号完整性，降低了电磁干扰，确保在高频下稳定运行。
型号：CY7C2270KV18-550BZXI
制造商：Infineon Technologies
系列：QDR II+ SRAM
存储容量：36 Mb
组织结构：2M x 18
工作电压：1.7V ~ 1.9V（典型值 1.8V）
最大时钟频率：550 MHz
数据速率：1100 Mbps（双倍数据速率）
访问时间：≤ 550 ps
输入/输出逻辑标准：SSTL_18 Class I
封装类型：165-ball BGA（15×15 mm）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
引脚数量：165
数据总线宽度：18 位
时钟类型：差分（CK, /CK）
写入模式：分离式读写端口（Separate Read/Write Ports）
功能类型：Sync Burst QDR II+ SRAM
CY7C2270KV18-550BZXI 具备多项先进特性，使其成为高端通信系统中理想的高速存储解决方案。首先，其 QDR II+ 架构实现了完全独立的读写路径，允许在一个时钟周期内同时执行一次读操作和一次写操作，极大提高了并发处理能力和系统吞吐率。这种四倍数据速率（每个时钟周期传输四次数据）的工作机制通过将读写命令分别绑定到上升沿和下降沿，并结合源同步时钟技术，显著提升了有效带宽。其次，该器件支持可编程输出驱动强度和片内终端电阻（On-Die Termination, ODT），可根据实际PCB走线阻抗进行调节，优化信号反射与串扰，提升高速信号完整性。此外，差分时钟输入（CK 和 /CK）提供了更强的抗噪声能力，确保在复杂电磁环境中仍能保持精确的时序同步。器件还内置了自动刷新和低功耗待机模式，在空闲状态下可动态降低功耗，延长系统能效。所有控制信号均与时钟同步，包括地址、数据和控制线，保证了确定性的延迟响应，非常适合需要严格时序控制的应用。其18位数据宽度特别适用于处理奇偶校验或ECC扩展数据流，可用于构建高可靠性系统。制造工艺基于先进的CMOS技术，具备高可靠性和长期供货保障。整个设计遵循绿色环保标准，符合RoHS指令要求，无铅且不含卤素。该芯片还经过严格的工业级温度验证，在-40°C至+85°C范围内均可稳定运行，适用于恶劣环境下的电信设备部署。
CY7C2270KV18-550BZXI 主要应用于需要极高带宽和低延迟的数据处理系统。典型使用场景包括核心网路由器、多层交换机、无线基站（如4G LTE和5G NR基础设施）、光传输网络（OTN）、网络处理器配套缓存、测试与测量仪器以及高性能计算模块。在这些系统中，它常被用作数据包缓冲区、队列管理存储器、流量整形单元或协议转换中间缓存。由于其18位字宽结构，特别适合处理带有状态标志或校验信息的数据帧，例如在ATM、Ethernet Switching或Packet Processing引擎中作为临时存储介质。此外，该器件也广泛用于雷达信号处理、视频流媒体交换平台和金融交易加速卡等对实时性要求极高的领域。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化控制系统和航空航天电子系统中的优选SRAM方案。由于采用BGA封装并支持高密度布线，因此常见于背板式通信主板、线路卡（Line Card）和NP（Network Processor）子卡设计中。配合FPGA或ASIC使用时，能够充分发挥其高吞吐优势，满足现代数据中心和边缘计算设备对快速内存访问的需求。随着5G网络建设的持续推进，这类高性能QDR SRAM的需求持续增长，尤其在前传和中传网络节点中扮演关键角色。
CY7C2270KV18-550BZXC
CY7C2270KV18-550BAAI
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