TGC4671 时间：2025/8/15 18:53:20 阅读：10

TGC4671是一款由美国TriQuint半导体公司（现为Qorvo）设计制造的高性能GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET）功率放大器芯片，主要用于军事、雷达、通信和测试设备等领域的射频（RF）和微波应用。该器件在S波段和C波段表现出色，适用于需要高线性度、高增益和高输出功率的系统。

参数

频率范围：2 - 6 GHz
　　输出功率：典型25 W（连续波，CW）
　　增益：>20 dB
　　效率：>35%
　　工作电压：+28 V
　　封装形式：陶瓷金属封装（如MMIC形式）
　　输入/输出阻抗：50 ohms
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TGC4671具有高功率密度和卓越的线性度，适用于多种宽带和窄带射频放大应用。该器件基于GaAs技术制造，具备优异的热稳定性和可靠性。其MMIC（单片微波集成电路）结构集成了输入和输出匹配网络，简化了外部电路设计并减少了PCB布局复杂度。TGC4671在宽频带范围内提供高增益和高效率，使得它在雷达发射模块、通信中继放大器、测试仪器和电子战系统中广泛应用。此外，该芯片具备良好的抗失真性能，能够在高功率条件下保持信号完整性，适合于高要求的军用和工业环境。
　　该器件的工作频率范围为2 GHz至6 GHz，覆盖S波段和部分C波段，使其适用于多种现代无线通信和雷达系统。TGC4671的典型输出功率为25瓦（连续波模式），增益超过20 dB，具有较高的功率附加效率（PAE），一般超过35%。其高输入/输出驻波比（VSWR）容限使其能够在一定程度上容忍负载失配，从而提高系统的稳定性。TGC4671通常采用陶瓷金属封装，确保在高温和高振动环境下仍能保持稳定性能。