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15N80 发布时间 时间:2025/7/23 6:40:24 查看 阅读:7

15N80 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用高压工艺制造,具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点。15N80 通常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器以及各种高电压功率应用。它的 TO-220 封装形式便于安装和散热,是工业和消费类电子设备中常用的功率 MOSFET。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):800V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):15A
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(最大)
  功耗(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

15N80 MOSFET 具有出色的电气性能和热稳定性,适用于高电压和高电流的应用场景。其主要特性包括高耐压能力(VDS 高达 800V),能够承受较大的电压应力,适用于高压开关电路。该器件的导通电阻较低,典型值为 0.55Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,15N80 的 TO-220 封装形式具有良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
  该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适合在恶劣工作环境下使用。其栅极驱动特性优化,能够在较宽的栅压范围内实现稳定导通,降低了对驱动电路的要求。15N80 的高可靠性使其成为电源转换器、马达控制和工业自动化设备中的理想选择。

应用

15N80 MOSFET 主要应用于各种高压功率转换和控制电路中。常见用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电池充电器、马达驱动电路、LED 驱动器、逆变器以及工业控制设备。由于其高耐压和低导通电阻的特性,该器件特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。此外,在消费类电子产品和工业自动化设备中,15N80 也常用于功率开关和负载控制电路。

替代型号

20N80, 18N80, FQA16N80, FQP15N80

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