类型：光耦继电器（光MOS继电器）
　　输入电压（正向电压VF）：典型值1.2V，最大1.5V @ IF=10mA
　　输入电流（IF）：最大50mA
　　输出导通电阻（RON）：典型值10Ω，最大18Ω
　　输出耐压（VDS）：60V（最大）
　　连续负载电流（ID）：1.2A（最大）
　　峰值输出电流：3.6A
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1分钟）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　封装形式：SOP-8 或类似小型化表面贴装封装
　　引脚数：8
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　响应时间（开通/关断）：典型值0.5ms / 1ms以内
　　控制信号兼容性：TTL/CMOS电平兼容

15FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN) 光耦继电器具备优异的电气隔离性能，其输入与输出之间可承受高达5000 VRMS的隔离电压，确保在高压环境中系统的安全性和抗干扰能力。器件采用先进的光控MOSFET技术，在输入端使用低功耗红外LED，仅需约5~10mA的驱动电流即可实现完全导通，兼容微控制器、DSP或FPGA等低压逻辑电路直接驱动，无需额外的缓冲或驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。输出端采用增强型功率MOSFET结构，具有较低的导通电阻（典型值10Ω），有效减少导通状态下的功率损耗和温升，提高能源利用效率。相比传统电磁继电器，该器件无机械触点，避免了弹跳、电弧和接触老化等问题，显著延长使用寿命，可达数十万次以上的开关操作。
　　该型号工作温度范围宽达-40°C至+110°C，适应严苛工业环境下的长期稳定运行。同时具备快速响应特性，开通时间小于0.5ms，关断时间低于1ms，满足高速信号切换需求，适用于数据采集系统或多路复用控制场景。器件封装为小型化SOP-8形式，节省PCB空间，便于高密度布局，并支持回流焊工艺，适合现代自动化生产线。内置保护机制可防止反向电流和静电放电（ESD）损伤，增强了现场应用的可靠性。此外，产品符合RoHS和无卤素要求，满足绿色电子产品的发展趋势。得益于其集成化的结构设计和高性能表现，15FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN) 成为替代传统电磁继电器的理想选择，尤其在需要静音操作、防爆环境或频繁开关的应用中优势明显。

该器件主要应用于需要电气隔离与高可靠性的控制系统中。常见用途包括工业自动化设备中的输入/输出模块、可编程逻辑控制器（PLC）的数字量输出卡、测试与测量仪器中的多路开关矩阵、自动测试设备（ATE）中的信号路由控制、医疗设备中的安全隔离电路、通信系统中的电源切换以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路。由于其支持TTL/CMOS电平驱动且功耗低，也适用于嵌入式控制系统、智能家居中央控制器、远程I/O模块及物联网网关中的远程开关功能。此外，在伺服驱动器、电机控制板和电源监控单元中，可用于实现故障保护信号的隔离传输与执行动作的联动控制。其无触点特性使其非常适合用于易燃易爆环境或对电磁干扰敏感的精密电子系统。在需要长寿命、免维护和高集成度的现代电子设备中，该光耦继电器展现出广泛的应用前景。

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