类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：13A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.35Ω（@Vgs=10V, Id=6.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约280pF
　　反向恢复时间（trr）：快速体二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

13N40具备出色的高压阻断能力和较低的导通损耗，这使其在高效率电源设计中具有显著优势。其400V的漏源击穿电压能够满足大多数离线式开关电源的需求，尤其是在AC-DC适配器、LED驱动电源和小型逆变器中表现良好。器件的导通电阻在高温下仍保持相对稳定，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。该MOSFET采用了优化的晶圆工艺，提升了载流子迁移率，从而在相同尺寸下实现了更高的电流承载能力。此外，13N40的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量较小，有利于提高开关频率并减小外围元件体积。其快速的开关响应特性减少了开关过程中的交越损耗，特别适合高频PWM控制应用。
　　该器件内置的体二极管具有较快的反向恢复速度，可在感性负载切换或同步整流过程中有效抑制电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）。在实际应用中，配合合适的驱动电路和散热设计，13N40能够长时间稳定运行于高负荷工况下。其TO-220封装提供了良好的热传导路径，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。温度稳定性方面，13N40在宽温度范围内保持一致的电气性能，避免了因温度变化导致的性能漂移问题。此外，该器件符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品设计。尽管13N40并非最新一代超结MOSFET，但凭借成熟的技术和合理的成本，在许多中端市场仍具有较强的竞争力。

13N40广泛用于各类中等功率开关模式电源（SMPS）中，如手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块等。在这些应用中，它通常作为主开关管工作在反激（Flyback）或正激（Forward）拓扑结构中，负责将高压直流电转换为高频脉冲信号。此外，该器件也常见于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式反激架构中，利用其高耐压特性实现安全可靠的电能转换。在太阳能微逆变器或小型光伏逆变系统中，13N40可用于DC-AC转换的初级侧开关，提供稳定的能量输出。工业控制领域中，它可应用于电机驱动电路、继电器驱动模块以及UPS不间断电源系统。
　　在消费类电子产品中，13N40常被用于电视电源板、音响设备和家用电器的内置电源单元。由于其具备较强的抗浪涌能力，能够在电网波动较大的环境中可靠运行，因此在发展中国家的电网适应性产品中尤为受欢迎。此外，该器件也可用于电池充电管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或者作为电子负载的核心开关元件。在实验教学与原型开发中，13N40因其参数明确、驱动简单而成为工程师和学生常用的功率器件之一。配合简单的PWM控制器（如UC3842），即可搭建高效的DC-DC或AC-DC变换电路。总之，13N40凭借其可靠的性能和广泛的适用性，在多个行业中发挥着重要作用。

14N40, 15N40, FQA13N40, K2743, IRFBC40