时间：2025/6/14 10:00:51
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GCQ1555C1HR68DB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡，适用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。
其封装形式为DFN8（2x2mm），具有较小的尺寸和出色的散热性能，能够满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
型号：GCQ1555C1HR68DB01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：17nC
开关时间：开启延迟时间(t_d(on))≤15ns，关断传播时间(t_f)≤18ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：DFN8（2x2mm）
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 较高的雪崩击穿能量能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 静电放电(ESD)防护符合人体模型(HBM)≥2kV标准。
5. 小型化的DFN8封装，节省PCB空间且具备优良的热传导性能。
6. 广泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC/DC转换器的核心开关元件。
3. 电池保护电路中用作负载开关。
4. 各类电机驱动控制器的功率级组件。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
6. 消费类电子产品的快速充电适配器设计。
GCQ1555C1HR68DB02D, GCQ1555C1HR68DB03D
