时间：2025/12/27 8:42:59
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12N90-FC是一款由Forceconn（飞仕康）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电压和中等电流切换的电力电子场合。该器件采用TO-220F封装形式，具有良好的热稳定性和较高的功率处理能力。其额定漏源击穿电压为900V，连续漏极电流在25°C下可达12A，适用于高压环境下对效率和可靠性要求较高的系统设计。12N90-FC的设计注重低导通电阻与高耐压能力之间的平衡，使其在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。器件内部结构优化以降低寄生电感和电容，从而提升高频工作的稳定性。由于采用了先进的平面工艺技术和高质量封装材料，12N90-FC具备优异的抗雪崩能力和抗过载能力，适合用于工业控制、照明电源、光伏逆变器及家用电器中的功率控制模块。其引脚配置符合标准TO-220封装规范，便于在PCB上安装与散热片连接，有利于批量生产和维护。
型号：12N90-FC
制造商：Forceconn
封装类型：TO-220F
晶体管极性：N沟道增强型
漏源击穿电压（BVDSS）：900V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：12A
脉冲漏极电流（IDM）：48A
栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值4.0V，最大值6.0V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω @ VGS=10V, ID=6A
最大功耗（PD）：150W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
输入电容（Ciss）：典型值1300pF @ VDS=25V, VGS=0V
输出电容（Coss）：典型值45pF
反向恢复时间（trr）：无体二极管或未特别标注
栅极电荷（Qg）：典型值65nC @ VGS=10V
12N90-FC作为一款高压MOSFET，在设计上充分考虑了高电压应用环境下的安全性和稳定性。其900V的漏源击穿电压确保了在市电整流后母线电压波动或瞬态过压情况下仍能可靠工作，尤其适用于AC-DC开关电源中作为主开关管使用。该器件具备较低的导通电阻，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现，并减少了散热需求。得益于先进的硅片制造工艺，12N90-FC在高温工况下仍能维持良好的电气特性，避免因温度上升导致性能急剧下降的问题。其栅极驱动特性经过优化，能够在常见的10V栅压下实现充分饱和导通，兼容主流PWM控制器输出电平。此外，器件具备较强的抗雪崩能量能力，能够在突发短路或负载突变时提供一定的自我保护机制，延长系统寿命。TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还通过底部绝缘设计实现了电气隔离，便于安装于接地散热器而不引起短路风险，提升了系统的安全性。整个器件通过了多项国际安规认证，符合RoHS环保要求，适用于出口型电子产品。
在高频开关应用中，12N90-FC表现出较低的开关延迟时间和较小的栅极电荷，有助于减小开通与关断过程中的交叠损耗，从而提升开关频率上限和电源小型化潜力。其输入电容和反馈电容控制得当，减少了米勒效应带来的误触发风险，增强了电路运行的稳定性。同时，该MOSFET的体二极管虽非专门优化，但在某些拓扑如反激变换器中仍可承担续流功能，简化外围设计。综合来看，12N90-FC是一款兼顾高压、中大电流与高效能的功率MOSFET，适用于多种工业级和消费级电源产品，是替代传统低效能晶体管的理想选择。
12N90-FC主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、光伏逆变器、UPS不间断电源以及工业电机控制电路。其高耐压特性使其特别适合用于PFC（功率因数校正）升压级或主功率开关拓扑中，尤其是在85~265V AC输入范围内的全电压通用电源设计。此外，该器件也可用于DC-DC高压转换模块，例如电信设备中的48V转高压直流系统。在家用电器领域，如空调、洗衣机和微波炉的功率控制部分，12N90-FC能够胜任压缩机或加热元件的开关控制任务。由于其具备良好的热性能和电气稳定性，也常被选用在户外照明、智能电表及新能源充电桩的辅助电源模块中。在电机驱动方面，可用于中小功率的BLDC或步进电机控制器中的桥式开关单元。总之，凡涉及900V以内高压直流或脉冲电压切换的应用场景，12N90-FC均是一个可靠且经济的选择。
12N90
12N90-F
