时间：2025/5/23 21:20:50
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BSZ068N06NS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合高效能电力电子设计。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，能够满足大多数低压应用场景的需求，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：72A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=14ns, toff=25ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BSZ068N06NS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑的封装设计，节省了 PCB 布局空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
BSZ068N06NS 可应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、家用电器以及工业设备. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
BSZ065N06NS, IRF640N, FDP55N06L
