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BSZ068N06NS 发布时间 时间:2025/5/23 21:20:50 查看 阅读:14

BSZ068N06NS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效能电力电子设计。
  这款 MOSFET 的额定电压为 60V,能够满足大多数低压应用场景的需求,同时具备较高的电流承载能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:72A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:ton=14ns, toff=25ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BSZ068N06NS 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,降低了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 紧凑的封装设计,节省了 PCB 布局空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。

应用

BSZ068N06NS 可应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电动工具、家用电器以及工业设备. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。

替代型号

BSZ065N06NS, IRF640N, FDP55N06L

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