BSZ068N06NS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效能电力电子设计。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V,能够满足大多数低压应用场景的需求,同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:72A
导通电阻(典型值):1.3mΩ
栅极电荷:85nC
开关时间:ton=14ns, toff=25ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
BSZ068N06NS 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,降低了开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑的封装设计,节省了 PCB 布局空间。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
BSZ068N06NS 可应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、家用电器以及工业设备. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
BSZ065N06NS, IRF640N, FDP55N06L