12FDZ-BT(S)是一款由台湾半导体公司生产的小型表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节、稳压和过压保护等应用。该器件采用SOD-323封装,具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及精密电源管理电路中。12FDZ-BT(S)的标称齐纳电压为12V,适用于需要稳定参考电压或钳位电压的场合。其低动态电阻特性确保在负载变化时仍能维持较为稳定的输出电压,从而提高系统整体的可靠性。此外,该器件具备良好的热稳定性和长期工作稳定性,能够在较宽的温度范围内保持性能一致。由于采用了先进的制造工艺,12FDZ-BT(S)在反向击穿区工作时表现出优异的噪声抑制能力和较小的电压漂移,适合用于对信号质量要求较高的模拟电路中。该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品的制造需求。
型号:12FDZ-BT(S)
封装:SOD-323
极性:单齐纳二极管
标称齐纳电压:12V
容差:±5%
测试电流:5mA
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
热阻θja:625°C/W
反向漏电流:≤1μA @ 8V
12FDZ-BT(S)具备出色的电压稳定性和低动态阻抗,在额定工作条件下能够提供精确且稳定的参考电压。其核心特性之一是低噪声表现,这使得它非常适合用于音频放大器、传感器信号调理电路以及高精度ADC/DAC参考源等对噪声敏感的应用场景。器件在反向击穿区域内的电压波动极小,即便在输入电流发生较大变化的情况下也能维持输出电压的平稳,这种良好的稳压能力源于其优化的PN结设计和高质量的半导体材料。该齐纳二极管还具有快速响应时间,能够在瞬态过压事件中迅速导通并钳制电压,有效保护后续电路元件免受损坏。SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间,还有助于提升组装密度,特别适合高度集成的移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。同时,该封装形式具备良好的散热性能,在正常工作负载下无需额外散热措施即可稳定运行。12FDZ-BT(S)经过严格的可靠性测试,包括高温反向偏置寿命试验和温度循环测试,确保在恶劣环境下的长期稳定性。其±5%的电压容差属于工业级较高精度水平,满足大多数通用稳压需求。此外,该器件在低电流条件下仍能启动并进入稳压状态,扩展了其在低功耗系统中的适用性。
另一个重要特性是环境适应性强。12FDZ-BT(S)可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,适用于极端气候条件下的户外设备或工业控制系统。它的反向漏电流非常低(≤1μA @ 8V),这意味着在未达到击穿电压前几乎不产生功耗,有利于延长电池供电系统的使用寿命。该器件符合AEC-Q101车规级部分认证要求,可用于汽车电子中的非关键性稳压节点。生产工艺上采用全自动化晶圆制造与封装流程,保证批次间一致性高,降低因器件差异导致的产品失效风险。综合来看,12FDZ-BT(S)是一款兼具高性能、高可靠性和紧凑尺寸的理想稳压解决方案,尤其适用于空间受限但对电气性能有要求的应用场景。
12FDZ-BT(S)常用于各类电子设备中的电压参考、电源钳位和过压保护电路。典型应用场景包括便携式消费电子产品如手机、MP3播放器、蓝牙耳机中的低压直流稳压模块;也可作为比较器或运算放大器的基准电压源,确保信号处理的准确性。在电源管理系统中,它可以用于反馈回路中的电压采样与调节,或与TVS管配合实现多级浪涌防护。此外,该器件也广泛应用于工业控制板、智能家居控制器、LED驱动电源以及汽车电子模块中,用于稳定偏置电压或防止静电放电(ESD)造成的损害。由于其小型封装和良好高频响应,还可用于高速数字电路的噪声滤波和信号整形环节。
MMBZ5242BT1G
BZT52C12S
SZMMSZ5242BHE3-AGM
UZ6.2B