时间：2025/9/11 19:36:28
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KF10N65F-U/PS是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Kexin Electronics生产。这款MOSFET专为高电压和高功率应用而设计，具有良好的导通电阻和开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各类高电压开关电路。KF10N65F-U/PS采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.65Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
KF10N65F-U/PS MOSFET具备优异的导通和开关性能，能够在高电压环境下稳定工作。其650V的漏源击穿电压适用于大多数高功率开关应用，如电源适配器、LED驱动器和电机控制电路。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗，提高了整体系统的能效。
此外，KF10N65F-U/PS的TO-220封装设计提供了良好的散热能力，确保在高电流负载下也能维持稳定的温度性能。其±20V的栅源电压允许使用较高的驱动电压，从而加快开关速度并减少开关损耗。该MOSFET还具有较强的抗过载能力和短路保护特性，增强了系统的稳定性和可靠性。
在应用方面，KF10N65F-U/PS适用于多种电力电子设备，如AC-DC电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器以及各种工业控制设备。该器件的广泛适用性和高性价比使其成为许多中高功率开关应用中的理想选择。
KF10N65F-U/PS广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制、UPS系统、工业自动化设备和消费类电子产品。
FQA10N65C、IRFGB40N、TK10A60D、K2843、10N65C3
