时间：2025/7/11 21:23:04
阅读：6
ES35NC5M是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种功率转换电路中，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理模块等。
该MOSFET的设计优化了其在高频开关应用中的表现，同时兼顾了低静态功耗和高效率的要求。此外，其封装形式也经过精心选择，以确保良好的散热性能和便于表面贴装生产。
型号：ES35NC5M
类型：N沟道MOSFET
工作电压(Vds)：30V
最大电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：9nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1280pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
ES35NC5M的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频应用的需求。
3. 优化的栅极电荷设计，降低了驱动功耗。
4. 良好的热稳定性，保证在极端温度条件下稳定运行。
5. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。
6. 可靠的电气性能，支持多种复杂应用场景。
7. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
ES35NC5M适用于以下应用领域：
1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 便携式设备的电池管理系统(BMS)。
5. 各类工业控制与自动化系统的功率级模块。
6. 电机驱动及保护电路。
7. 充电器及逆变器中的功率开关元件。
AO3400, FDN340P, IRF3708PBF
