时间：2025/4/28 18:49:48
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12507WR-H21L2B(BK) 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于大电流、高效率的开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。
该型号中的 '12507' 表示其系列编号，'WR' 指代封装形式，'H21L2B' 则表示具体的产品版本和性能参数，而 '(BK)' 则可能为厂商内部标识或批次信息。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：35nC
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
12507WR-H21L2B(BK) 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力。这使得它在高效能功率转换中表现出色。此外，它的快速开关特性和低栅极电荷能够显著减少开关损耗，提高整体系统效率。
该器件还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。
以下是具体特性：
- 极低的导通电阻，降低传导损耗。
- 高速开关能力，适用于高频应用。
- 内置反向恢复二极管，提升电路性能。
- 宽泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
- 符合RoHS标准，环保无害。
12507WR-H21L2B(BK) 广泛应用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS) 中的核心功率元件。
- DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
- 工业电机驱动中的功率控制模块。
- 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
- 大功率 LED 驱动电路中的开关元件。
- 各类工业自动化设备中的功率调节部分。
12507WR-H21L2A, IRF1407, AOT296L
