时间：2025/6/25 10:55:55
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1210N123F500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，基于增强型常关 (E-Mode) GaN 技术制造。该器件采用表面贴装封装 (SMD)，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和射频功率放大器等应用。
其设计优化了高频率下的效率和性能，同时具备低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，能够显著减少能量损耗并提高功率密度。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：3A
导通电阻：120mΩ
栅极阈值电压：2.8V
输入电容：1500pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
1210N123F500CT 的主要特性包括高击穿电压、低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该器件采用了先进的氮化镓技术，使其能够在高频条件下保持高效运作。
此外，其常关型结构确保了在没有栅极驱动信号时处于关闭状态，从而提升了系统的安全性和可靠性。
由于其高耐压能力和低导通电阻，这款晶体管非常适合需要高效率和小尺寸的应用场景。
1210N123F500CT 广泛应用于高频 AC-DC 转换器、无桥图腾柱 PFC、软开关 DC-DC 转换器以及无线充电系统中。
它还适合于各种工业应用，例如电机驱动、太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
此外，在消费类电子产品领域，如快充适配器和笔记本电脑电源，也能够看到它的身影。
1210N120L500CT, 1210N123H500CT
