时间：2025/8/6 11:03:32
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IXFN90N85X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用，如电源转换、马达控制、逆变器和 DC-DC 转换器等。该器件采用 TO-247AC 封装，具有高耐压、高电流容量和低导通电阻的特点。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：850V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.048Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXFN90N85X 的主要特性包括其卓越的热稳定性和高功率处理能力，使其适用于高效率电源系统。该 MOSFET 采用了先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通损耗和更高的开关速度。此外，该器件具有良好的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，IXFN90N85X 还具有较强的短路耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。
在结构方面，该器件采用坚固的硅基技术，提供了良好的抗电磁干扰（EMI）性能。同时，其快速恢复二极管特性也使其适用于高频开关应用。IXFN90N85X 的 TO-247AC 封装形式便于安装在散热器上，有助于提高散热效率，延长器件寿命。
IXFN90N85X 被广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、太阳能逆变器、电动车充电系统以及高频开关电源等。由于其出色的性能和可靠性，IXFN90N85X 也常用于需要高效能、高稳定性的电源管理系统中，例如在数据中心的电源供应单元（PSU）和功率因数校正（PFC）电路中。此外，该器件也可用于焊接设备、感应加热器和变频器等高功率控制设备中。
IXFN90N85X 的替代型号包括 IXFN90N85P、IXFN90N85Q 和 STP90N85H5。
