封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　电容值：56 nF (56,000 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：250 VDC
　　介电材料：X7R
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C to +125°C)
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F（取较大者）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大厚度：约 2.5 mm
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

X7R 介电材料是本款电容器的核心特性之一，它提供了在宽温度范围内稳定的电容性能。具体而言，X7R 材料保证在 -55°C 到 +125°C 的工作温度区间内，电容值的变化不超过初始值的 ±15%。这一特性使得 1210B563K251LT 非常适合用于对温度变化敏感的应用场合，例如电源转换器的输入/输出滤波、DC-DC 变换器的去耦网络以及高温环境下的信号耦合电路。相较于 Y5V 或 Z5U 等介电类型，X7R 在温度稳定性、老化率和介电损耗方面表现更优，尽管其体积相对较大，但在大多数工业与汽车级应用中仍被广泛采用。
　　该电容器具备较高的额定电压（250 VDC），能够在高压电路中安全运行，适用于跨接在中等电压总线上的滤波和瞬态抑制任务。同时，由于其多层陶瓷结构，具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升高频响应能力，减少纹波电压并增强系统的抗干扰能力。此外，其 Ni/Sn 端接设计不仅兼容无铅焊接工艺（符合 RoHS 要求），还提高了焊点的可靠性和耐热循环性能，避免因热应力导致开裂或虚焊问题。
　　1210 封装在保持较高机械强度的同时，提供了较大的内部电极层数，从而实现较高的单位体积电容量。这种平衡设计使其在空间受限但又需一定容量与耐压能力的设计中极具优势。AVX 对制造过程实施严格的质量控制，确保每批产品的电气参数一致性高，批次间差异小，满足 AEC-Q200 等可靠性标准的部分要求，适用于对长期稳定性有要求的应用场景。此外，该器件具有良好的抗湿性和抗老化性能，可在恶劣环境中长期稳定工作。

1210B563K251LT 多层陶瓷电容器因其兼具较高的耐压能力和稳定的电容特性，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理系统中，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器的输入与输出滤波电路，有效抑制电压纹波和噪声，提高电源质量。其 250 VDC 的额定电压使其特别适合用于 200V 以上的母线滤波或跨接在 PFC（功率因数校正）电路中的旁路应用，能够承受瞬态过压而不发生击穿。
　　在工业控制设备中，该电容器可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动器和传感器接口模块中，作为去耦电容连接在 IC 电源引脚附近，消除高频噪声干扰，保障数字逻辑电路的稳定运行。同时，在通信基础设施如基站、光模块和网络交换设备中，该器件可用于信号路径的耦合与去耦，确保高速信号传输的完整性。
　　消费类电子产品中，如高端电视、音响设备和电源适配器，也常见此类高压 MLCC 的使用，尤其是在需要长寿命和高可靠性的设计中。此外，在新能源领域，包括太阳能逆变器和电动汽车充电模块，该电容器可用于直流链路滤波或辅助电源单元，发挥其耐高温和耐电压波动的优势。由于其符合 RoHS 标准且支持回流焊工艺，非常适合自动化 SMT 生产线，提升了制造效率和产品一致性。