CGH27030FE是一款由Cree(现为Wolfspeed)生产的高功率射频(RF)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,专为高频应用而设计。该器件适用于从2 GHz到2700 MHz的宽带操作,广泛用于无线基础设施、基站放大器、工业和商业射频设备中。CGH27030FE采用先进的LDMOS技术,具有出色的线性度、效率和热稳定性,能够承受较高的工作电压和电流,适用于高功率放大的场合。该器件封装为法兰型(Flanged Package),便于散热,适合在高功率密度环境下使用。
类型:射频功率LDMOS晶体管
频率范围:2 GHz - 2700 MHz
漏极电压:最大30 V
连续漏极电流:最大1.2 A
输出功率:30 W(典型)
增益:约18 dB
效率:约60%
封装类型:法兰封装
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
热阻:RθJC(结到壳)约为1.2°C/W
CGH27030FE具有多项先进的电气和热性能特性,适用于高功率射频放大器应用。该器件采用LDMOS技术,提供高增益、高线性度和高效率,有助于提高通信系统中的信号质量和能效。其宽带频率响应使其适用于多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、LTE等。
在热性能方面,CGH27030FE具有较低的热阻,能够有效地将热量从芯片传导到散热器,从而确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。其法兰封装设计进一步增强了散热能力,适用于高功率密度的应用环境。
此外,该器件具有良好的稳定性和耐用性,能够在恶劣的温度和工作条件下保持稳定的性能。它还具备较高的抗失真能力,适用于需要高线性度的射频功率放大器设计。
CGH27030FE广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、中继器和无线接入点。它适用于多载波GSM、CDMA、WCDMA、LTE等通信标准下的射频功率放大器设计。此外,该器件也可用于广播设备、测试仪器、雷达系统以及工业和医疗射频设备中的功率放大模块。由于其高效率和高线性度,CGH27030FE特别适合用于需要高输出功率和良好信号完整性的应用。
CGH27015FE, CGH40010F, CGH40025F