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1210B102K500NT 发布时间 时间:2025/12/28 1:39:35 查看 阅读:9

1210B102K500NT是一款由AVX公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于各类电子设备中,用于滤波、去耦、旁路和储能等电路功能。该器件属于表面贴装技术(SMT)元件,采用标准的1210封装尺寸(英制代码),即3.2mm x 2.5mm(公制3225),适用于自动化贴片生产流程。该型号的命名遵循行业通用规则:'1210'表示封装尺寸,'B'代表介质材料为C0G(NP0)或X7R等温度特性类型(具体需结合厂家规格书判断),'102'表示电容值为1000pF(即1nF),'K'为容差等级±10%,'500'表示额定电压为50V DC,'NT'通常指编带包装形式(如7英寸卷盘,带导孔)。该产品具备良好的稳定性和可靠性,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品及汽车电子等多种应用场景。其结构采用叠层陶瓷设计,内部电极交替排列,具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),有助于提升高频性能。此外,该电容器符合RoHS环保要求,并通过AEC-Q200等可靠性认证(视具体系列而定),适合在严苛环境条件下长期运行。

参数

封装尺寸:1210(3225公制)
  电容值:1000pF(1nF)
  容差:±10%
  额定电压:50V DC
  介质材料:X7R
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:ΔC/C ≤ ±15% (-55°C to +125°C)
  绝缘电阻:≥1000MΩ 或 RC ≥ 500s(取较小值)
  耐久性:在额定电压与最高工作温度下连续工作1000小时后,电容值变化不超过初始值的±15%,且损耗角正切值不超初始值的1.5倍。
  焊接方式:回流焊(符合J-STD-020标准)
  包装形式:编带(NT)

特性

1210B102K500NT所采用的X7R型介电材料是一种稳定的铁电陶瓷,具有较高的介电常数,能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的电容性能。其电容值在-55°C至+125°C的工作温度区间内最大变化幅度为±15%,这一特性使其非常适合用于对温度稳定性有一定要求但无需达到C0G/NP0级别精度的应用场合。相比C0G材质,X7R能够在更小体积下实现更高的电容量密度,因此在空间受限的设计中更具优势。该器件在直流偏压下的电容衰减表现适中,在接近额定电压时仍能维持约60%-80%的标称电容值,优于Z5U或Y5V等高失稳介质。同时,其交流电压负载能力也较强,可在一定频率范围内有效进行电源去耦和噪声抑制。由于采用多层结构,内部多个并联电容单元降低了整体的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而增强了高频响应能力,适用于中高频段(几十kHz到数百MHz)的滤波任务。此外,该电容器具备优异的机械强度和抗热冲击性能,经过多次回流焊过程后仍能保持电气参数稳定。其端电极通常采用镍阻挡层和锡覆盖层(Ni/Sn),确保良好的可焊性和长期耐腐蚀性。产品制造符合严格的工艺控制标准,批次一致性高,适合大规模自动化装配。在可靠性方面,该器件通过高温高湿偏压测试(如85°C/85%RH)、温度循环试验及寿命加速老化测试,确保在复杂环境中的长期稳定性。这些特性共同使1210B102K500NT成为工业级和汽车级电子系统中常用的被动元件之一。
  

应用

该电容器广泛应用于需要稳定电容性能和较高可靠性的电子系统中。常见用途包括开关电源中的输出滤波和输入旁路电容,用于平滑电压波动、降低纹波噪声。在DC-DC转换器模块中,它常被放置于IC附近以提供瞬态电流支持,减少因快速负载变化引起的电压跌落。此外,在模拟信号链路中,可用于构建二阶或高阶滤波网络,配合电阻或电感实现低通、高通或带通滤波功能,尤其适用于音频处理、传感器接口调理电路等场景。在数字系统中,该器件可用作微处理器、FPGA或ASIC芯片的电源去耦电容,消除高频噪声干扰,保障逻辑电路正常运行。在射频(RF)电路中,虽然不是首选高频专用型号,但在中低频段仍可用于阻抗匹配网络或直流馈电线路的隔直耦合。通信设备如基站模块、光模块、路由器电源板也常使用此类元件进行局部退耦。工业控制系统中的PLC、变频器、电机驱动器等设备利用其宽温特性和耐久性,部署于恶劣环境下长期运行。汽车电子领域,例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元等,若选用通过AEC-Q200认证的版本,则可满足车规级应用需求。此外,在医疗仪器、测试测量设备以及航空航天电子系统中也有广泛应用。得益于其标准化封装和成熟供应链,该型号易于替换和采购,适合批量生产和维修维护。
  

替代型号

GRM31CR61E102KA12L
  CL21A102KBQNNNC
  C3225X7R1H102K

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