时间：2025/8/24 22:23:10
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FDN050N20 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件专为高功率密度应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流 (ID)：50A
漏源电压 (VDS)：200V
栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：最大值 0.034Ω @ VGS=10V
功率耗散 (PD)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-252 (D-Pak)
FDN050N20 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通和开关性能之间的平衡。其 RDS(on) 的典型值在 VGS=10V 时仅为 0.034Ω，确保在高负载条件下仍能保持较低的温升。
此外，FDN050N20 具有较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达 200V，适用于中高压电源系统。其栅源电压范围为 ±20V，支持宽范围的驱动电压输入，提高了设计的灵活性。该器件的封装形式为 TO-252（也称为 D-Pak），具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装（SMT）工艺。
FDN050N20 广泛应用于多种功率电子系统中，例如服务器和通信设备的电源管理模块、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关以及工业自动化控制设备。由于其优异的导通性能和高耐压特性，该 MOSFET 也常被用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统中。
FDN050N20 的替代型号包括 FDD050N20、FDN047N20、IRF1406、SiHH050N20A、NTD050N20C 和 IPD050N20C3。这些型号在电气参数、封装形式和应用场景上与 FDN050N20 具有高度兼容性，可根据具体需求进行替换。
