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1206N680J250CT 发布时间 时间:2025/7/1 13:46:02 查看 阅读:5

1206N680J250CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),主要用于高频和高功率应用。该器件采用了先进的封装技术,具备卓越的开关性能和低导通电阻特性。
  该型号属于增强型 GaN 晶体管系列,其设计旨在满足现代电力电子系统对效率、功率密度和可靠性的严格要求。它适用于工业、通信以及汽车领域中的电源转换和电机驱动等场景。

参数

型号:1206N680J250CT
  类型:GaN HEMT
  最大漏源电压(Vds):680V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):250mΩ
  连续漏极电流(Id):12A
  峰值脉冲漏极电流:36A
  栅极电荷(Qg):40nC
  反向恢复时间(trr):<10ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1206N680J250CT 具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压(680V),使其能够在高压环境中稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(250mΩ),可有效降低导通损耗。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,从而减少磁性元件体积并提高整体系统效率。
  4. 超低反向恢复时间(<10ns),进一步优化了动态性能。
  5. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保在极端条件下的可靠性。
  6. 小巧的封装尺寸,便于实现紧凑型设计。

应用

1206N680J250CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器,特别是在需要高效率和高功率密度的设计中。
  2. 太阳能逆变器,用于提升能量转换效率。
  3. 电机驱动系统,如电动车牵引逆变器。
  4. 工业自动化设备中的电源模块。
  5. 通信基础设施中的功率放大器和其他高频电路。
  6. 快速充电器及适配器等消费类电子产品中的高效电源解决方案。

替代型号

1206N680J200CT, 1206N680J300CT

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1206N680J250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.17436卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容68 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-