KTK5133S-RTK/P 时间：2025/9/12 13:54:22 阅读：4

KTK5133S-RTK/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用。这款器件采用了先进的平面技术，提供了优良的热性能和低导通电阻。KTK5133S-RTK/P 采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装工艺，适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：100mA（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　安装类型：表面贴装

特性

KTK5133S-RTK/P 的设计使其具备出色的开关性能和热稳定性，适用于多种电子应用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件能够在较宽的温度范围内稳定运行，使其适用于严苛的工作环境。
　　这款 MOSFET 还具有快速开关能力，能够在高频条件下保持良好的性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。其 SOT-23 封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和 PCB 布局。KTK5133S-RTK/P 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极电压，确保在不同应用中都能可靠运行。

应用

KTK5133S-RTK/P 主要用于低功率开关应用，包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理模块、小型电机驱动器和负载开关等。由于其小型化设计和优良的电气性能，它也广泛应用于便携式电子产品、工业控制设备和消费类电子设备中。例如，在智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，KTK5133S-RTK/P 可用于控制不同功能模块的电源切换，确保系统的高效运行和低功耗设计。