H8BCS0SM0MAR-46M 是一款由SK hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能存储器产品线的一部分。该型号通常用于需要高带宽和低延迟存储解决方案的应用,例如服务器、网络设备、工业计算机以及高端消费电子产品。该芯片采用了先进的DRAM技术,以提供高容量和快速的数据访问能力。
类型:DRAM
容量:1Gbit
组织结构:x16
电压:1.8V - 3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
最大时钟频率:166MHz
数据速率:333Mbps
访问时间:5.4ns
H8BCS0SM0MAR-46M 采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高性能的特点。其x16的组织结构支持较宽的数据总线,从而提高了数据传输效率。该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有助于在保持数据完整性的同时降低功耗。此外,该器件具备高速数据访问能力,适合对性能要求较高的应用场景。
这款DRAM芯片的TSOP封装设计使其适用于高密度PCB布局,并且在电气性能和散热方面表现出色。其宽温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于工业级和车载等复杂环境中的应用。
该芯片还支持突发模式(Burst Mode)操作,允许在单次访问中连续读取或写入多个数据单元,从而进一步提升存储系统的吞吐量。同时,其同步接口设计使得数据传输与系统时钟保持同步,确保了系统的稳定性和兼容性。
H8BCS0SM0MAR-46M 常用于高性能计算系统、工业控制设备、通信基础设施(如交换机和路由器)、嵌入式系统以及需要高速缓存或临时数据存储的各类设备。由于其低功耗特性和高速性能,它也非常适合用于便携式电子设备和网络设备中,如网络摄像机、智能电视、高端游戏机等。
在服务器和存储设备中,该芯片可以作为缓存或主存储器的一部分,帮助提升整体系统性能。在工业自动化和车载系统中,其宽温度范围和高可靠性使其成为理想选择。
H8BCS0SM0MAR-5B, H8BCS0SM0MAR-5H, H8BCS0SM0MAR-47M