H8BCS0SM0MAR-46M 时间：2025/9/2 20:14:24 阅读：33

H8BCS0SM0MAR-46M 是一款由SK hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能存储器产品线的一部分。该型号通常用于需要高带宽和低延迟存储解决方案的应用，例如服务器、网络设备、工业计算机以及高端消费电子产品。该芯片采用了先进的DRAM技术，以提供高容量和快速的数据访问能力。

参数

类型：DRAM
　　容量：1Gbit
　　组织结构：x16
　　电压：1.8V - 3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据速率：333Mbps
　　访问时间：5.4ns
　　

特性

H8BCS0SM0MAR-46M 采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高性能的特点。其x16的组织结构支持较宽的数据总线，从而提高了数据传输效率。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，有助于在保持数据完整性的同时降低功耗。此外，该器件具备高速数据访问能力，适合对性能要求较高的应用场景。
　　这款DRAM芯片的TSOP封装设计使其适用于高密度PCB布局，并且在电气性能和散热方面表现出色。其宽温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于工业级和车载等复杂环境中的应用。
　　该芯片还支持突发模式（Burst Mode）操作，允许在单次访问中连续读取或写入多个数据单元，从而进一步提升存储系统的吞吐量。同时，其同步接口设计使得数据传输与系统时钟保持同步，确保了系统的稳定性和兼容性。

应用

H8BCS0SM0MAR-46M 常用于高性能计算系统、工业控制设备、通信基础设施（如交换机和路由器）、嵌入式系统以及需要高速缓存或临时数据存储的各类设备。由于其低功耗特性和高速性能，它也非常适合用于便携式电子设备和网络设备中，如网络摄像机、智能电视、高端游戏机等。
　　在服务器和存储设备中，该芯片可以作为缓存或主存储器的一部分，帮助提升整体系统性能。在工业自动化和车载系统中，其宽温度范围和高可靠性使其成为理想选择。