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1206N120K500CT 发布时间 时间:2025/7/1 19:28:39 查看 阅读:9

1206N120K500CT是一款高性能的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的GaN技术,能够显著提高功率转换系统的效率和功率密度。其封装形式通常为表面贴装型,适合自动化生产,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。
  该型号中的'1206'代表尺寸代码,'N'表示N沟道,'120'是耐压值(120V),'K'表示导通电阻等级,'500'是热性能标识,'CT'则是包装类型。

参数

额定电压:120V
  额定电流:40A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  输入电容:1200pF
  输出电容:500pF
  反向恢复时间:无(由于GaN特性)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-Leadless

特性

1206N120K500CT具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够减少传导损耗和开关损耗,从而提升系统效率。此外,它还具备以下优势:
  - 高击穿电压稳定性,确保在高压环境下可靠运行。
  - 极低的栅极电荷和输出电容,支持高频操作。
  - 热阻低,散热性能优越,适合高功率密度应用。
  - 内置ESD保护,增强抗静电能力。
  - 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该芯片适用于多种高要求的电力电子设备,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 太阳能逆变器
  - 电动工具驱动
  - 数据中心电源模块
  - 汽车电子系统
  由于其高频特性和高效能量转换能力,1206N120K500CT特别适合需要小型化和轻量化的场景。

替代型号

1206N120K550CT
  1206N120K600CT
  GAN041-650WSB

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1206N120K500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.16745卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-