1206N120K500CT是一款高性能的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的GaN技术,能够显著提高功率转换系统的效率和功率密度。其封装形式通常为表面贴装型,适合自动化生产,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。
该型号中的'1206'代表尺寸代码,'N'表示N沟道,'120'是耐压值(120V),'K'表示导通电阻等级,'500'是热性能标识,'CT'则是包装类型。
额定电压:120V
额定电流:40A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:15nC
输入电容:1200pF
输出电容:500pF
反向恢复时间:无(由于GaN特性)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-Leadless
1206N120K500CT具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够减少传导损耗和开关损耗,从而提升系统效率。此外,它还具备以下优势:
- 高击穿电压稳定性,确保在高压环境下可靠运行。
- 极低的栅极电荷和输出电容,支持高频操作。
- 热阻低,散热性能优越,适合高功率密度应用。
- 内置ESD保护,增强抗静电能力。
- 符合RoHS标准,环保且安全。
该芯片适用于多种高要求的电力电子设备,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电动工具驱动
- 数据中心电源模块
- 汽车电子系统
由于其高频特性和高效能量转换能力,1206N120K500CT特别适合需要小型化和轻量化的场景。
1206N120K550CT
1206N120K600CT
GAN041-650WSB