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RF03N1R8B250CT 发布时间 时间:2025/6/25 22:31:05 查看 阅读:7

RF03N1R8B250CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,主要设计用于无线通信、雷达系统以及其他高频应用领域。该器件采用先进的硅双极型晶体管 (Si-BJT) 工艺制造,具有出色的增益、线性和功率处理能力。它能够支持高达 2.5GHz 的频率范围,并在高功率输出条件下保持稳定的性能表现。
  该型号晶体管适用于驱动级或最终功率放大器阶段,其封装形式通常为气密封装,以提高可靠性和散热性能。RF03N1R8B250CT 在军事、航空航天和高端商业通信设备中得到了广泛应用。

参数

最大工作频率:2.5GHz
  饱和电压:3V
  集电极最大电流:8A
  最大耗散功率:250W
  增益带宽积:700MHz
  封装形式:金属壳体(TO-264)

特性

1. 高功率处理能力:RF03N1R8B250CT 可以提供高达 250W 的耗散功率,非常适合高功率射频放大器应用。
  2. 宽频带支持:其频率范围覆盖从低频到 2.5GHz,适合多种射频场景。
  3. 优秀的线性度和效率:通过优化内部结构设计,该晶体管能够在大信号条件下维持较高的效率和较低的失真。
  4. 良好的热稳定性:由于采用了金属壳体封装并内置高效散热路径,RF03N1R8B250CT 具备优异的热管理性能。
  5. 高可靠性:特别适合要求严格的军工和航天环境,具备抗辐射和高温运行的能力。

应用

1. 射频功率放大器:
   - 用于无线通信基站中的发射机功率放大。
  2. 雷达系统:
   - 提供高功率输出以支持长距离目标检测。
  3. 测试与测量设备:
   - 作为信号源驱动器,为测试仪器提供稳定的高频信号。
  4. 医疗成像设备:
   - 在磁共振成像 (MRI) 等设备中用作射频激励源。
  5. 卫星通信:
   - 支持地面站与卫星之间的高数据速率传输。

替代型号

RF03N1R8B200CT, RF03N1R8B300CT

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RF03N1R8B250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.06584卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-