时间：2025/6/21 2:40:38
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PSMN1R0-40SSHJ 是一款 N 沟道逻辑增强型功率 MOSFET，属于 Infineon Technologies 的 OptiMOS 系列。该器件采用 SuperSO8 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等多种应用场合。
其主要设计目标是提供出色的功率密度和热性能，同时降低系统损耗，以满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：56A
导通电阻（典型值）：1.0mΩ
栅极电荷（典型值）：97nC
功耗：13.44W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SuperSO8
PSMN1R0-40SSHJ 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，它的栅极电荷较低，从而降低了开关损耗。这种组合使得该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色。
由于采用了先进的制程技术，这款器件能够在较高的结温下稳定运行，并具备出色的热性能。SuperSO8 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还节省了 PCB 布局空间。
另外，该产品具有快速开关速度和抗雪崩能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。
PSMN1R0-40SSHJ的领域，例如消费类电子产品中的适配器和充电器、工业自动化设备中的电机控制以及通信系统的电源管理模块。
具体应用包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电动工具和家用电器的电机驱动
- 可再生能源逆变器中的功率级组件
PSMN1R0-40SSEH, PSMN1R0-40SSE
