时间：2025/11/6 0:57:26
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1206B226K6R3CT是一款由KEMET（现为国巨集团子公司）生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的1206封装尺寸（3.2mm x 1.6mm）。该电容器属于X7R介电材料类别，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，广泛应用于各类消费电子、工业控制和通信设备中。其标称电容值为22μF，额定电压为6.3V DC，电容容差为±10%（K级），适用于去耦、滤波、旁路及电源管理等多种电路场景。该器件工作温度范围为-55°C至+125°C，能够在较宽的环境条件下保持稳定的电气性能。由于其高电容密度和小型化设计，1206B226K6R3CT在空间受限的PCB布局中表现出色。此外，该产品符合RoHS环保要求，无铅且具备良好的可焊性，适合回流焊接工艺。作为一款成熟的商用MLCC型号，它在供应链中具有较高的可用性，并被广泛用于替代传统电解电容以提升系统可靠性与寿命。
型号：1206B226K6R3CT
制造商：KEMET (YAGEO)
封装/尺寸：1206 (3216公制)
电容值：22μF
额定电压：6.3V DC
电容容差：±10%
介电材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
安装类型：表面贴装 (SMD)
端接形式：镍/锡（Ni/Sn）镀层
产品等级：商用级
符合标准：RoHS 合规, AEC-Q200 不适用
1206B226K6R3CT采用X7R型陶瓷介质材料，这种材料以其优异的温度稳定性著称，在-55°C到+125°C范围内电容变化率不超过±15%，能够满足大多数非精密但要求宽温运行的应用需求。相较于Z5U或Y5V等介电类型，X7R在温度漂移和老化特性方面表现更优，尤其适合用于电源轨的去耦和噪声滤波。该电容器实现了在1206小型封装内集成高达22μF的电容容量，体现了现代多层陶瓷电容器在叠层技术和介质薄层化方面的进步。通过使用高介电常数的陶瓷材料和精密印刷内部电极结构，KEMET成功提升了单位体积的电容密度，使得该器件可在一定程度上替代体积更大的钽电容或铝电解电容，从而减小整体PCB面积并提高系统可靠性。
该器件具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，使其在高频去耦应用中表现良好，能有效抑制开关电源带来的高频噪声。同时，由于陶瓷电容器本身无极性且不含有电解液，因此不存在干涸、极性接反或寿命衰减等问题，长期稳定性远高于电解类电容。其机械强度高，抗振动和冲击能力强，适用于车载电子以外的严苛工业环境。此外，该产品采用标准SMD封装，兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产中的高速贴装流程。其端电极为镍/锡双层结构，确保了良好的可焊性和耐热性，支持无铅回流焊工艺（峰值温度通常可达260°C）。尽管在直流偏置下电容值会有所下降——这是高介电常数陶瓷材料的固有特性——但在6.3V额定电压下仍能维持相当比例的有效电容，实际应用中可通过电路仿真或实测进行补偿设计。
1206B226K6R3CT主要用于需要中等容量去耦和滤波功能的电子电路中。典型应用场景包括数字IC的电源引脚去耦，如微控制器（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）和逻辑门电路等，用以平抑瞬态电流引起的电压波动，保障供电稳定性。在DC-DC转换器和低压线性稳压器（LDO）的输入输出端，该电容器可用于滤除开关噪声和纹波电压，提升电源质量。此外，它也常见于模拟信号链路中的旁路应用，例如运算放大器的偏置电路或ADC/DAC参考电压缓冲，有助于降低高频干扰对精度的影响。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该型号因其小尺寸和高性能而被广泛采用。工业控制设备如PLC模块、传感器接口板、HMI人机界面等也常使用此类电容以增强系统的电磁兼容性（EMC）和长期运行可靠性。虽然其额定电压较低，限制了在高压场合的应用，但在3.3V、2.5V甚至1.8V等现代低电压供电系统中，该器件仍具有很高的实用价值。此外，由于其符合RoHS标准且不含卤素，适用于对环保要求严格的出口型产品设计。
C2012X7R1C226M
