时间：2025/7/5 0:11:21
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LM-L2N7002LT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺，具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点，适用于电源转换、无线充电、电机驱动等场景。
其封装形式为 LFPAK8 封装，有助于提升散热性能并简化 PCB 布局。此外，这款芯片支持高达 200V 的工作电压，同时具备强大的电流处理能力。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：7A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：超过 5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK8
LM-L2N7002LT1G 具有以下显著特性：
1. 高效的氮化镓（GaN）技术提供卓越的功率密度和转换效率。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关特性，能够支持 MHz 级别的开关频率，从而减小无源元件体积。
4. 内置静电保护功能，提高系统可靠性。
5. 超薄型封装设计，适合空间受限的应用环境。
6. 在高频条件下保持高效率，非常适合现代电源管理需求。
7. 支持汽车级应用，满足严苛的工作温度要求。
LM-L2N7002LT1G 广泛应用于各种高频功率转换场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器。
2. USB-PD 充电器与快充解决方案。
3. 无线充电发射端及接收端模块。
4. 电动汽车中的车载充电器（OBC）和 DC-DC 变换器。
5. 工业自动化设备中的高频逆变器。
6. 高效 LED 驱动器及照明系统。
7. 分布式电源系统及微型能源管理方案。
LM-G3N7002LT1G, TX-G2N7002LT1G
