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HY57V641620FTP-H 发布时间 时间:2025/9/2 11:35:02 查看 阅读:13

HY57V641620FTP-H 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)公司生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,广泛应用于需要高速数据存取的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品。该型号的DRAM芯片具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,能够满足高性能系统的需求。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:16M x 4 x 4 Banks
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  数据速率:166MHz
  接口类型:同步
  刷新周期:64ms

特性

HY57V641620FTP-H 具有多个显著的特性,使其适用于高性能存储应用。首先,该芯片采用同步接口设计,使得数据传输与系统时钟同步,从而提高数据传输效率并降低延迟。其次,其支持4个内部存储体(Banks),允许在不同存储体之间进行交错操作,提高整体存储带宽。此外,该芯片具备自刷新(Self-Refresh)和自动刷新(Auto-Refresh)功能,能够在低功耗模式下保持数据完整性,适合用于电池供电或低功耗设计的系统中。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有较宽的电源适应性,适用于多种供电环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,可在严苛的环境条件下稳定运行。HY57V641620FTP-H 采用TSOP封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具有良好的散热性能和电气特性。
  此外,该DRAM芯片的存储结构为16M x 4 x 4 Banks,总容量为64Mbit,适用于需要较大缓存或临时存储的应用场景。其166MHz的数据速率能够支持高速数据访问,满足实时处理和高吞吐量需求。

应用

HY57V641620FTP-H 主要应用于需要高性能存储解决方案的电子系统中。例如,在嵌入式系统中,该芯片可用于提供临时数据存储和高速缓存,以提升系统运行效率。在网络设备中,该DRAM芯片可用于缓冲数据包,提高数据转发速度和处理能力。此外,它还广泛用于工业控制设备、图像处理系统、视频采集设备以及通信模块中,作为高速数据存储和处理的临时存储单元。
  由于其支持宽温范围和低功耗模式,HY57V641620FTP-H 也适用于工业自动化、车载电子系统和户外通信设备等对环境适应性要求较高的应用场景。在消费电子产品中,该芯片可用于智能家电、便携式多媒体设备和游戏设备中,为系统提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

IS42S16400F-6T, MT48LC16M16A2B4-6A

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