型号：11NM70
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700V
　　连续漏极电流（ID）：11A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：max 0.68Ω @ VGS=10V, ID=5.5A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：125W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值1400pF
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值52ns
　　封装类型：TO-220FP

11NM70的突出特性之一是其高达700V的漏源击穿电压，使其能够在高电压应用中稳定工作，例如在离线式开关电源和AC-DC转换器中直接连接整流后的市电电压。这种高电压耐受能力减少了系统对外部保护电路的依赖，提高了设计的简洁性和可靠性。该器件采用优化的平面工艺制造，实现了良好的均匀性和一致性，确保批量生产中的性能稳定。其导通电阻RDS(on)在VGS=10V时最大为0.68Ω，这一低阻值显著降低了导通损耗，尤其在大电流工作条件下能有效提升能效，减少散热需求。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。11NM70具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这有助于减少开关过程中的充电和放电能量损耗，从而实现更高的开关频率和更紧凑的磁性元件设计。其反向恢复时间（trr）典型值为52ns，表明体二极管具有较快的恢复速度，减少了在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统的EMI性能。此外，该器件具备较强的雪崩耐量，能够在突发的过压事件中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，11NM70采用TO-220FP封装，具有较大的金属背板，便于安装散热器，有效降低热阻，确保在高功率密度应用中的长期可靠性。其最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。栅极结构设计合理，栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，既能保证足够的噪声裕度，又能与标准逻辑电平驱动器良好兼容。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，符合AEC-Q101等汽车级标准（如适用型号），可用于对可靠性要求较高的应用场景。

11NM70广泛应用于各类高电压、高效率的开关电源系统中。一个典型的应用是作为主开关管用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑的AC-DC离线电源，特别是在200W以下的电源适配器、电视机电源板和LED驱动电源中表现优异。由于其700V的额定电压，可以直接接入整流后的市电（约310V DC），无需额外的降压电路，简化了系统设计。在照明领域，11NM70可用于电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路，提供稳定的高频开关功能，提升灯具效率和寿命。
　　在工业控制和电机驱动系统中，该器件可用于PWM调压或小功率逆变器模块，实现对电机速度和转矩的精确控制。此外，11NM70也适用于不间断电源（UPS）、电池充电器和开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。由于其良好的热稳定性和抗浪涌能力，该器件在电网波动较大或负载变化频繁的环境中仍能保持稳定运行。在消费类电子产品中，如家用电器中的开关电源模块，11NM70因其高性价比和成熟的技术方案而被广泛采用。
　　值得注意的是，11NM70也可用于谐振变换器或准谐振（Quasi-Resonant）拓扑中，利用其快速开关特性和低电容优势，进一步降低开关损耗，提高整体效率。在设计应用时，建议配合适当的栅极驱动电阻和RC缓冲电路，以抑制开关过程中的电压振铃和电磁干扰。同时，应确保良好的PCB布局和散热设计，避免局部过热导致器件提前失效。总体而言，11NM70是一款通用性强、性能可靠的高压MOSFET，适用于多种中等功率级别的电力电子系统。

STP12NM60FD
　　STP10NK60ZFP
　　FQA11N80