型号：11NM60G-TN3-R
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏栅电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：1.1A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：11Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：约280ns
　　最大功耗（PD）：50W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

11NM60G-TN3-R具备出色的高压阻断能力，其650V的漏源击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源设计，特别是在全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）条件下工作的电源系统中表现优异。该MOSFET采用了优化的元胞结构和平面栅技术，在保证高耐压的同时实现了较低的单位面积导通电阻，从而有效降低了导通损耗，提高了电源转换效率。器件的RDS(on)典型值为11Ω，在VGS=10V时即可实现完全导通，满足大多数PWM控制器的驱动需求，无需额外的电平移位或高电压驱动电路。
　　另一个关键特性是其良好的开关行为。11NM60G-TN3-R具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss分别为450pF和110pF），这减少了开关过程中的充放电能量损耗，有利于提高高频开关下的能效表现。同时，较小的栅漏电荷（Qgd）也降低了米勒效应的影响，提升了抗噪声干扰能力，使器件在硬开关拓扑如反激、正激或半桥电路中更加可靠。此外，其体二极管经过特别设计，具备较短的反向恢复时间（trr约280ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），显著抑制了关断时的电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强了系统的鲁棒性。
　　从热管理角度看，TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许将热量有效地传递至散热器或PCB铜箔区域，确保长时间运行时结温控制在安全范围内。该器件的最大功耗可达50W（在壳温25°C条件下），且支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），适应严苛环境下的使用需求。内置的雪崩能量耐受能力进一步增强了其在异常工况下的生存能力，例如负载突变或输入浪涌等情况。总体而言，11NM60G-TN3-R凭借其高耐压、低损耗、良好热性能及高可靠性，成为中小功率开关电源领域的一款理想选择。

11NM60G-TN3-R主要应用于各类中小功率开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适用于反激式（Flyback）拓扑结构的离线电源设计，常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、智能家居设备电源模块以及工业控制电源单元。其650V高耐压特性使其能够应对宽范围交流输入条件下的峰值电压冲击，确保系统在各种电网环境下稳定运行。此外，该器件也被广泛用于LED照明驱动电源中，特别是在非隔离式降压或隔离式反激驱动方案中，发挥其高效开关和低静态功耗的优势，帮助实现高PF值和低THD指标。
　　在待机电源（Standby Power Supply）设计中，11NM60G-TN3-R因其低漏电流和高效率特点而备受青睐，可用于主电源关闭后维持系统微控制器、遥控接收模块或其他低功耗电路的持续供电。它还适用于家电类产品中的辅助电源部分，如冰箱、洗衣机、空调等内部的小功率DC-DC转换器。另外，在电池充电管理系统、POS机电源、网络通信设备电源板等领域也有广泛应用。得益于其通孔封装（TO-220）带来的良好机械强度和焊接可靠性，该器件特别适合对长期稳定性要求较高的工业级应用场景。同时，其符合RoHS标准且不含卤素，满足现代电子产品对环保法规的要求，适用于出口导向型产品的设计与制造。