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IRL3303STRL 发布时间 时间:2025/6/24 8:32:59 查看 阅读:9

IRL3303STRL是一款N沟道增强型MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。这款MOSFET采用小型化的TO-252 (DPAK)封装形式,适用于需要低导通电阻和快速开关速度的场景。
  该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够满足多种电源管理和电机驱动应用的需求。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  总功耗:17W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRL3303STRL的核心优势在于其非常低的导通电阻以及优秀的热性能。
  1. 导通电阻仅为8.5mΩ(在Vgs=10V时),使得功率损耗显著降低,非常适合高效率设计。
  2. 能够承受高达39A的连续漏极电流,使其适用于大功率负载切换。
  3. 具有较快的开关速度,可有效减少开关损耗并提高高频电路的性能。
  4. 工作温度范围宽广(-55℃到+175℃),适应恶劣环境下的可靠运行。
  5. 封装为紧凑型TO-252,节省PCB空间且易于散热设计。

应用

IRL3303STRL广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 各类电机控制与驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)。
  3. 负载切换、电池管理及保护电路。
  4. LED照明驱动,特别是在大功率LED灯串中作为开关元件。
  5. 汽车电子系统中的继电器替代方案以及逆变器模块。

替代型号

IRL3302PBF, IRL3304PBF, IRLZ34N

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IRL3303STRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)