类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（VGS=10V）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　开启电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

L2N7002KTT1G具有多项优良的电气和物理特性，适用于多种电子应用环境。
　　首先，该器件具备较高的漏源电压容限（最高可达60V），使其在中等电压开关应用中表现出色，能够承受一定的电压波动而不损坏。
　　其次，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），这增强了其在不同控制电路中的适应性。此外，L2N7002KTT1G的开启电压（VGS(th)）较低，通常在1V至2.5V之间，意味着它可以被低电压微控制器或逻辑电路直接驱动，非常适合用于数字控制应用。
　　导通电阻方面，该MOSFET的RDS(on)约为5Ω，虽然不是最低，但在SOT-23封装中已经非常优秀，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。
　　该器件的封装形式为小型SOT-23，体积小、重量轻，便于在紧凑型电路板中布局。同时，其功率耗散为300mW，可在不使用散热片的情况下满足大多数低功耗应用需求。
　　最后，L2N7002KTT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的温度适应性和热稳定性，适用于各种工业环境。

L2N7002KTT1G常用于以下电子系统和电路中：
　　在数字控制电路中，作为逻辑开关使用，常用于微控制器I/O扩展、LED驱动和继电器控制。
　　在电源管理模块中，用于低功耗开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电源切换电路。
　　在工业自动化设备中，作为小型执行机构（如电机、电磁阀）的控制开关，实现远程控制和自动化操作。
　　在消费类电子产品中，如智能手表、可穿戴设备和便携式仪器中，用于高效能的电源控制和信号处理。
　　此外，该MOSFET还可用于通信设备中的射频开关、信号路由和隔离控制，适用于无线模块和蓝牙设备等应用场景。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, SI2302DS