型号：11N50
　　封装：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：11A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：44A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：850pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　功耗（Pd）：150W（带散热片）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃

11N50具有优异的高压阻断能力，其漏源击穿电压高达500V，确保在高压环境下仍能安全可靠地工作。这一特性使其适用于多种离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED照明电源等需要直接接入市电的应用场景。器件采用了先进的平面工艺技术，优化了电场分布，有效抑制了局部电场集中现象，提高了器件的长期稳定性和寿命。
　　该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为1.1Ω，在额定工作条件下可显著降低导通损耗，提升电源转换效率。这对于高功率密度设计尤为重要，有助于减少散热需求并缩小整体系统体积。同时，低Rds(on)也意味着在相同电流下产生的热量更少，从而延长了系统的使用寿命。
　　11N50拥有良好的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这使得其在高频开关应用中表现出色。较小的栅极电荷（Qg）降低了驱动电路的负担，允许使用更简单的驱动方案，从而节省成本并提高系统集成度。此外，快速的开关响应时间减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了整体能效。
　　该器件还具备较强的热稳定性与抗过载能力。其最大功耗可达150W（配合适当散热条件），结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定运行。内置的快速恢复体二极管（如有）能够有效处理反向电流，避免因感性负载引起的电压尖峰损坏器件。综合来看，11N50是一款性能均衡、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种中高功率应用场景。

11N50广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子设备中表现突出。常见应用包括通用开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机电源模块等，这些设备通常需要将交流市电转换为稳定的直流电压，而11N50凭借其500V的耐压能力和较低的导通损耗，成为初级侧开关器件的理想选择。
　　在DC-DC变换器中，尤其是在升压（Boost）、反激（Flyback）和正激（Forward）拓扑结构中，11N50可用于实现高效的能量传递与电压调节。其快速的开关速度和低寄生参数有助于提高变换器的工作频率，进而减小磁性元件的尺寸，提升功率密度。
　　此外，该器件也被用于电机驱动电路中，作为控制电机启停和调速的开关元件。在小型家电、电动工具和工业自动化设备中，11N50可以驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制能力。
　　在LED照明驱动领域，特别是大功率LED恒流电源中，11N50常被用作主控开关管，配合PWM调光技术实现亮度调节。其高耐压特性适应宽输入电压范围，而低导通电阻则有助于提高驱动效率，减少发热问题。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统以及各种工业控制电源模块。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，11N50在电磁干扰较严重的工业环境中也能保持稳定运行。

IRFBC40, FQP11N50, STP11NM50, K11N50, AP11N50FP